[发明专利]晶体管参数化模块单元在审
| 申请号： | 201711456525.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109977440A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 沈立;陆宇;周润宝;沈金龙;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司;上海芯哲微电子科技股份有限公司;上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管参数化模块单元 尺寸匹配 模块单元 晶体管模块 版图结构 匹配连接 优化匹配 紧凑性 晶体管 质心 绘制 | ||
1.一种小尺寸匹配晶体管参数化模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成，其特征在于，所述模块单元提供控制晶体管栅长和栅宽两个参数，修改所述的两个参数，可以调整晶体管的尺寸，内部将自动做出相应调整，仍然保持匹配连接关系。
2.如权利要求1所述的模块单元，其特征在于，所述模块单元中引出八条金属线，供模块单元外部电路连接。
3.如权利要求1所述的模块单元，其特征在于，可以随时调整所述晶体管的栅面积，根据实际版图允许面积，优化匹配精确度。
4.如权利要求1所述的模块单元，其特征在于，所述模块单元采用完全的共质心版图结构。
5.如权利要求1所述的模块单元，其特征在于，所述晶体管左右两边加上等距离的陪衬栅极，避免了因多晶硅刻蚀速率不一致引起的失配。
6.如权利要求1所述的模块单元，其特征在于，所述模块单元中将陪衬管的栅电极与背栅相连，有助于保证晶体管的电学特性不受陪衬管下方形成的伪沟道影响。
7.如权利要求1所述的模块单元，其特征在于，所述模块单元中不用多晶硅而用金属把多个栅电极相互连接起来，防止邻近区域存在多晶硅图形而导致刻蚀速率发生变化。
8.如权利要求1所述的模块单元，其特征在于，所述模块单元正确处理多晶硅栅电极上接触孔的位置。
9.如权利要求1所述的模块单元，其特征在于，所述模块单元具备接近对称的金属连线布局。
10.如权利要求1所述的模块单元，其特征在于，消除陪衬管的源/漏注入，减小模块单元面积。
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