[发明专利]一种芯片以及电子设备

权利要求书

1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；

所述第一金属层与所述第二金属层之间设有所述填充介质层，所述第一金属层与所述第二金属层设于所述前道介质层上，所述第一金属层以及所述第二金属层之间用于设置金属-绝缘体-金属MIM电容，所述第一金属层的第一侧面用于与所述MIM电容的第一金属极层电连接，所述第二金属层的第二侧面用于与所述MIM电容的第二金属极层电连接；

所述前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，所述第一金属层与所述第一前道金属层电连接，所述第二金属层与所述第二前道金属层电连接，所述第一金属层以及所述第一前道金属层用于将所述第一金属极层引入所述前道介质层，所述第二金属层以及所述第二前道金属层用于将所述第二金属极层引入所述前道介质层。

2.根据据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述前道介质层包括第一介质层以及多个设于所述第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层为表面钝化层，多个的所述第二介质层之间设有间隙，所述第一介质层在所述间隙处设有所述第一前道金属层；

所述第一金属层包括第四金属层以及第五金属层，所述第四金属层与所述第五金属层电连接，所述第四金属通过所述间隙与所述第一前道金属层电连接，所述第五金属层包括延展部，所述延展部设于所述第二介质层上，所述第一侧面为所述延展部背离所述第二介质层的一面。

3.根据权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括第三金属层，所述第三金属层设于所述前道介质层上，所述第三金属层的第三侧面用于与所述MIM电容的第三金属极层电连接；

所述前道介质层还设有第三前道金属层，所述第三前道金属层与所述第三金属层电连接，所述第三金属层以及所述第三前道金属层用于将所述第三金属极层引入所述前道介质层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第一前道金属层以及所述第二前道金属层所使用的材料包括铝以及铜中的任意一种。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第四金属层以及所述第五金属层所使用的材料包括铝以及铜中的任意一种。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第三金属层所使用的材料包括铝以及铜中的任意一种。

7.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层、填充介质层以及金属-绝缘体-金属MIM电容；

所述第一金属层与所述第二金属层之间设有所述填充介质层，所述第一金属层与所述第二金属层设于所述前道介质层上，所述第一金属层以及所述第二金属层之间设有所述MIM电容，所述第一金属层的第一侧面与所述MIM电容的第一金属极层电连接，所述第二金属层的第二侧面与所述MIM电容的第二金属极层电连接；

所述前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，所述第一金属层与所述第一前道金属层电连接，所述第二金属层与所述第二前道金属层电连接，所述第一金属层以及所述第一前道金属层将所述第一金属极层引入所述前道介质层，所述第二金属层以及所述第二前道金属层将所述第二金属极层引入所述前道介质层。

8.根据据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述前道介质层包括第一介质层以及多个设于所述第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层为表面钝化层，多个的所述第二介质层之间设有间隙，所述第一介质层在所述间隙处设有所述第一前道金属层；

所述第一金属层包括第四金属层以及第五金属层，所述第四金属层与所述第五金属层电连接，所述第四金属通过所述间隙与所述第一前道金属层电连接，所述第五金属层包括延展部，所述延展部设于所述第二介质层上，所述第一侧面为所述延展部背离所述第二介质层的一面。