[发明专利]一种芯片以及电子设备

说明书

本申请提供了一种芯片以及电子设备，以释放前道介质层更多的内部空间。芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；第一金属层与第二金属层之间设有填充介质层，第一金属层与第二金属层设于前道介质层上，第一金属层以及第二金属层之间用于设置MIM电容，第一金属层的第一侧面用于与MIM电容的第一金属极层电连接，第二金属层的第二侧面用于与MIM电容的第二金属极层电连接；前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，第一金属层与第一前道金属层电连接，第二金属层与第二前道金属层电连接，第一金属层以及第一前道金属层用于将第一金属极层引入前道介质层，第二金属层以及第二前道金属层用于将第二金属极层引入前道介质层。

技术领域

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种芯片以及电子设备。

背景技术

集成电容为半导体工艺中常见的集成器件，在芯片中可应用于电路的补偿、滤波器的设计以及电荷泵的设计等方面，也可作为改善电源或者信号质量的解耦电容等等，具有广泛的应用范围及使用价值。

在芯片的应用中，集成电容需要占用芯片封装结构的内部空间，以设置在芯片封装结构内，并与芯片封装结构的内部走线以及内部组件进行连接，实现其功能。

然而，在实际应用中发现，在现有的芯片封装结构中，集成电容的设置容易影响其内部组件以及内部走线的布置，且随着芯片的要求越来越高，该项问题愈加的突出，因此，集成电容在芯片封装结构中的应用亟待进一步的优化。

发明内容

本申请提供了一种芯片以及电子设备，以释放芯片的前道介质层更多的内部空间。

本申请在第一方面，提供了一种芯片，芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；第一金属层与第二金属层之间设有填充介质层，第一金属层与第二金属层设于前道介质层上，第一金属层以及第二金属层之间用于设置金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容，第一金属层的第一侧面用于与MIM电容的第一金属极层贴合并形成电连接，第二金属层的第二侧面用于与MIM电容的第二金属极层贴合并形成电连接；

前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，第一前道金属层以及第二前道金属层均部分裸露于前道介质层的表面，第一金属层与第一前道金属层裸露于前道介质层的表面处电连接，第二金属层与第二前道金属层裸露于前道介质层的表面处电连接，第一金属层以及第一前道金属层用于将第一金属极层引入前道介质层，第二金属层以及第二前道金属层用于将第二金属极层引入前道介质层，第一前道金属层以及第二前道金属层可与前道介质层中的内部走线或者内部组件进行电连接。

容易理解，由于在本申请提供的芯片结构中，将第一金属层、第二金属层以及填充介质层均设置在了前道介质层上，同时可将MIM电容也设置在前道介质层上，MIM电容的第一金属极层以及第二金属极层可分别通过第一金属层以及第二金属层引入前道介质层中，可大大减少集成电容对前道介质层的内部空间的占用，从而释放芯片其前道介质层更多的内部空间，更便于在芯片的前道介质层中内部组件及内部走线的布置。

结合本申请第一方面，在本申请第一方面的第一种可能的实现方式中，前道介质层包括第一介质层以及多个设于第一介质层上的第二介质层，第二介质层为表面钝化层，第二介质层可提供机械保护，多个的第二介质层之间设有间隙，第一介质层在间隙处设有第一前道金属层；第一金属层包括第四金属层以及第五金属层，第四金属层与第五金属层贴合并形成电连接，第四金属通过间隙与第一前道金属层电连接，第五金属层包括水平方向上延展形成的延展部，延展部贴合设于第二介质层上，第一侧面为延展部背离第二介质层的一面。

可以理解，第四金属层以及第五金属层的细化结构，可便于第一金属层在工艺上的加工，且在进行封装工艺时，还可便于第一金属层的封装，更具有灵活性。