[发明专利]真空吸嘴组件有效
申请号: | 201711457674.4 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108183084B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 饶桦强;毛辉寒 | 申请(专利权)人: | 英特尔产品(成都)有限公司;英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/68 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 钟胜光 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拾取 芯片 真空吸嘴组件 发生装置 非接触式 真空吸力 吸力 不接触 对准 托盘 额外空间 固定芯片 流程处理 限位机构 芯片放置 上表面 回填 | ||
1.一种真空吸嘴组件(30),包括:
非接触式真空吸力发生装置(10),其用于产生吸力,以在不接触对象(14)的情况下,拾取和放置所述对象(14);以及
限位机构(20),其与所述非接触式真空吸力发生装置(10)连接,在所述非接触式真空吸力发生装置(10)产生吸力以拾取所述对象(14)时,通过接触所述对象(14)的边缘限制所述对象(14)的位置,其中,所述限位机构(20)还包括:
中空的固定框架(21);以及
一个或多个连接装置(22),其用于将所述固定框架(21)与所述非接触式真空吸力发生装置(10)连接;
其中,每个所述连接装置(22)从所述固定框架(21)的一个端面延伸,并且与所述非接触式真空吸力发生装置(10)连接,所述固定框架(21)和所述一个或多个连接装置(22)共同限定一空间(S),当所述连接装置(22)与所述非接触式真空吸力发生装置(10)连接时,所述非接触式真空吸力发生装置(10)能够在所述空间(S)内产生吸力。
2.根据权利要求1所述的真空吸嘴组件(30),其中,所述限位机构(20)包括从所述固定框架(21)的接近所述非接触式真空吸力发生装置(10)的一端向所述空间(S)内延伸的限位突起。
3.根据权利要求1或2所述的真空吸嘴组件(30),其中,所述一个或多个连接装置(22)是多个夹持部(22),在每个所述夹持部(22)的一端设置有第一部分(24),所述第一部分(24)具有用于支撑所述非接触式真空吸力发生装置(10)的第一表面(27)和用于在所述非接触式真空吸力发生装置(10)产生吸力以拾取所述对象(14)时限制所述对象(14)的位置的第二表面(28)。
4.根据权利要求1所述的真空吸嘴组件(30),其中,所述限位机构(20)与所述非接触式真空吸力发生装置(10)可拆卸地连接。
5.根据权利要求1所述的真空吸嘴组件(30),其中,所述限位机构(20)还包括:
在所述固定框架(21)内侧或者远离所述非接触式真空吸力发生装置(10)的一端的端面上设置的一个或多个定位部(23)。
6.根据权利要求3所述的真空吸嘴组件(30),其中,每个所述夹持部(22)还包括在与所述第一部分(24)相对的一端设置的第二部分(26),所述第二部分(26)和所述第一部分(24)用于将所述非接触式真空吸力发生装置(10)在所述第二部分(26)和所述第一部分(24)的第一表面(27)之间卡紧。
7.根据权利要求6所述的真空吸嘴组件(30),其中,所述夹持部(22)还包括设置在所述第一部分(24)和所述第二部分(26)之间的第三部分(25),当所述非接触式真空吸力发生装置(10)在所述第二部分(26)和所述第一部分(24)的第一表面(27)之间卡紧时,所述第三部分(25)的表面与所述非接触式真空吸力发生装置(10)的表面接合。
8.一种拾取和放置工具(40),包括:
气管(41),其用于输送加压气体(F);
气流控制器(42),其与所述气管(41)相连,用于控制从所述气管(41)提供的所述加压气体(F)的量;
根据权利要求1-7中任一项所述的真空吸嘴组件(30),其具有在所述非接触式真空吸力发生装置(10)上设置的气孔(11);以及
连接头(43),其位于所述气流控制器(42)和所述真空吸嘴组件(43)之间,用于连接所述气管(41)和所述气孔(11),以通过所述气管(41)向所述非接触式真空吸力发生装置(10)供应所述加压气体(F)。
9.根据权利要求8所述的拾取和放置工具(40),其中,
所述加压气体(F)包括无油空气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造