[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备在审
| 申请号： | 201711458678.4 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN108091564A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/14;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王增强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体基体 半导体装置 贯通电极 绝缘层 半导体基 第二表面 第一表面 电子设备 配线层 周界 体内 贯通 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
第一芯片，该第一芯片包括第一半导体基板和第一配线；
第二芯片，该第二芯片结合到所述第一芯片的第一表面侧并且包括第二半导体基板和第二配线；
贯通电极，该贯通电极设置成从第一芯片的第二表面侧到第二芯片中的第二配线；
其中第一配线和第二配线经由所述贯通电极彼此电连接，
其中所述贯通电极在横截面视图中在第一深度位置处具有第一宽度并且在第二深度位置处具有第二宽度，并且所述第一宽度大于所述第二宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一深度位置设置在所述第一芯片中，并且所述第二深度位置设置在所述第二芯片中。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一深度位置设置在所述第二表面侧处，并且所述第二深度位置设置在所述第一表面侧处。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一深度位置设置在所述第一表面侧处，所述第二深度位置设置在所述第二芯片处。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
第一绝缘层，该第一绝缘层设置在所述贯通电极和第一芯片中的第一半导体基板之间。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一配线设置在第二绝缘层中，并且所述第二配线设置在第三绝缘层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
