[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备

说明书

本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

本申请是申请日为2013年6月19日、申请号为201380033466.5、发明名称为“半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本技术方案涉及包括半导体基体的贯通电极的半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的电子设备。

背景技术

迄今，已经提出了具有这样的构造的半导体装置，其中不同类型的装置结合在一起，并且贯通电极贯通(penetrate)上部芯片的基体并连接至下部基体的电极(例如，参见专利文件1)。在这样的构造中，在上部芯片侧基体和下部芯片侧基体相结合后，形成贯通上部芯片侧基体且连接至上部芯片侧电极焊盘的第一贯通电极。类似地，形成贯通上部芯片侧基体且连接至下部芯片侧电极焊盘的第二贯通电极。然后，通过将第一贯通电极连接至第二贯通电极的镶嵌工艺、在不同类芯片之间连接配线。

作为电隔离(绝缘)半导体基体与贯通电极的方法，已经提出了事先在半导体基体中形成绝缘膜且在该半导体基体中由绝缘膜围绕的范围内形成贯通电极的技术方案(例如，参见专利文件1和2)。

引用列表

专利文件

专利文件1：JP 2010-245506A

专利文件1：JP 2008-251964A

专利文件1：JP 2011-171567A

发明内容

发明要解决的技术问题

在由贯通电极实现其内连接的上述半导体装置中，需要通过改善诸如贯通电极的连接特性、绝缘特性和屏蔽特性的可靠性来改善半导体装置和电子设备的可靠性。

本技术方案希望提供可靠性提高了的半导体装置和电子设备。

解决技术问题的方案

本技术方案的半导体装置包括第一半导体基体以及结合在该第一半导体基体的第一表面侧上的第二半导体基体。该半导体装置进一步包括贯通电极和绝缘层，该贯通电极通过从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层而形成，该绝缘层围绕该第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

另外，本技术方案的电子设备包括该半导体装置和处理该半导体装置的输出信号的信号处理电路。

另外，本技术方案的制造半导体装置的方法包括：形成绝缘层，该绝缘层围绕该第一半导体基体的第一表面上形成有贯通电极的位置的周界；以及，将第二半导体基体结合至第一半导体基体的第一表面侧。该方法还包括形成开口部分，该开口部分在由该绝缘层围绕的范围内、从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，在该开口部分内形成贯通电极。

根据上述半导体装置和制造半导体装置的方法，在第一半导体基体中形成围绕该贯通电极的周界的绝缘层。因此，可确保贯通电极和第一半导体基体之间的绝缘特性而不会在形成有该贯通电极的该开口部分的内表面上形成绝缘层。此外，可确保配线层的可靠性，因为贯通电极的侧表面不被绝缘层覆盖。因此，改善了包括贯通电极的半导体装置的可靠性。此外，改善了包括半导体装置的电子设备的可靠性。

本发明的有益效果

根据本技术方案，能够提供高可靠性的半导体装置和电子设备。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的半导体装置构造的截面图，