[发明专利]基于磁控技术的镀膜玻璃及制备方法在审

专利信息
申请号: 201711459760.9 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN107915414A 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 李珩民;彭志福;孙秋华;赵岩;秦海一 申请(专利权)人: 黑龙江健中特种玻璃有限公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36
代理公司: 哈尔滨东方专利事务所23118 代理人: 陈晓光
地址: 150029 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 基于 技术 镀膜 玻璃 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于磁控技术的镀膜玻璃,其组成包括:玻璃基片,其特征是:所述的玻璃基片厚度为4.0~10.0mm,经过磁控溅射镀膜工艺沉积进行多层镀膜,所述的多层镀膜包括:第一氧化物层、第一金属氧化物层、金属银层、金属钛层、第二金属氧化物层、第二氧化物层、氧化铜保护层。

2.一种权利要求1所述的基于磁控技术的镀膜玻璃的制备方法,其特征是:首先制备玻璃基片,顺次在玻璃基片上镀第一氧化物层、镀第一金属氧化物、镀第一金属银、镀金属钛层、镀第二金属氧化物层、再次镀第二金属氧化物层、镀氧化铜保护层,所述的玻璃基片经过以上多层镀膜后,通过实验室分析检测,其可见光波长380nm~780nm时透过率为85%~90%,透过颜色a*值为-1.0~-2.0,b*值为1.0~2.0,遮阳系数为0.6~0.7。

3.根据权利要求2所述的基于磁控技术的镀膜玻璃的制备方法,其特征是:所述的制备玻璃基片方法为,玻璃基片的优选厚度为6mm,取相应外形尺寸的玻璃基片放置于设备上,通过超纯净水清洗干净,清除水迹,并将并将离线磁控溅射设备的真空度设置在2~3×10-3Pa,线速度设置为4.0~5.0 m/min。

4.根据权利要求2或3所述的基于磁控技术的镀膜玻璃的制备方法,其特征是:所述的镀第一氧化物层是将玻璃基片传送入镀膜腔室中,设置镀第一氧化物层的设备总功率为0~80KW,在玻璃基片上镀上第一氧化物层,镀层厚度为20.0~40.0 nm。

5.根据权利要求2或3或4所述的基于磁控技术的镀膜玻璃的制备方法,其特征是:所述的镀第一金属氧化物是在镀第一氧化物层的基础上,持续镀第一金属氧化物层,设备总功率为60~120KW,在基片复合层上镀上第一金属氧化物,镀层厚度为5.0~10.0nm,其中金属氧化物为单一氧化物,不限于ZnSnOx、ZnO、AZO、ZrOx、SnO2氧化物组合层。

6.根据权利要求2或3或4或5所述的基于磁控技术的镀膜玻璃的制备方法,其特征是:所述的镀第一金属银层是在镀第一金属氧化物的基础上镀金属银层,设备总功率为7.5~8.0 KW,在基片复合层上镀上第一金属银,镀层厚度为9.0~15.0 nm。

7.根据权利要求2或3或4或5或6所述的基于磁控技术的镀膜玻璃的制备方法,其特征是:所述的镀金属钛层是在镀第一金属银的基础上持续镀金属钛层,设备总功率为12.0~14.0 KW,在基片复合层上镀上金属钛层,镀层厚度为0.8~1.5 nm。

8.根据权利要求2或3或4或5或6或7所述的基于磁控技术的镀膜玻璃的制备方法,其特征是:所述的镀第二金属氧化物层是在镀金属钛层的复合层上镀第二金属氧化物层,设备总功率为150~160KW,镀层厚度为30.0~50.0 nm,其中金属氧化物为单一氧化物,不限于ZnSnOx、ZnO、AZO、ZrOx、SnO2氧化物组合层;

在上一步的基础上第二次持续镀第二氧化物层,设备总功率为115.0~125.0 kW,在基片复合层上第二次镀第二金属氧化物层,镀层厚度为35.5~45.5 nm。

9.根据权利要求2或3或4或5或6或7或8所述的基于磁控技术的镀膜玻璃的制备方法,其特征是:在镀第二金属氧化物层基础上持续镀氧化铜保护层,设备总功率为0.0~50.0 kW,在基片复合层上镀氧化铜保护层,镀层厚度为0.0~15.0 nm。

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