[发明专利]炉管装置

说明书

一种炉管装置，包括底座和壳体，所述底座、壳体围成适于容纳晶圆的炉管腔，所述底座面向所述炉管腔的表面上设有多个适于放置晶圆的托盘。通过在底座上设置多个托盘，使晶圆能够被分散的放置在多个托盘上，从而能够降低炉管腔的高度。当炉管腔的高度降低时，也就说明位于高度方向上两端的晶圆之间的距离变得更小，使每一晶圆所处的工艺条件都十分接近，从而使每一晶圆均具有十分相近的处理效果，提升产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种炉管装置。

背景技术

炉管装置是半导体制程中的基本设备，主要用于晶圆的氧化、掺杂及热处理等程序。使用过程中，晶圆放置在炉管装置的内部，对炉管装置进行加热、并向炉管装置通入工艺气体，以实现对晶圆的氧化、掺杂和热处理。

参照图1，现有技术的炉管装置1包括底座2和壳体3，所述底座2和壳体3围成炉管腔4，晶圆5设置在炉管腔4内。其中，壳体3上设有通气管(图中未示出)，适于向炉管腔4通入工艺气体，炉管装置1还包括加热装置(图中未示出)，以对炉管腔4内的晶圆5进行加热。

现有技术中，为了提升晶圆5处理效率，炉管腔4通常能够容纳多个晶圆组6，每一晶圆组6内含有多片晶圆5，从而能够同时对多片晶圆5进行氧化、掺杂或热处理。如图1所示，所述炉管腔4内共有6个晶圆组6，且每一晶圆组内含有25片晶圆5，也就是同时能够对150片晶圆5进行处理。

但是，现有技术炉管腔4中的150片晶圆5均是沿炉管装置1的高度方向x依次设置的，使得位于炉管腔4底部的晶圆5和位于炉管腔4顶部的晶圆5之间具有较长的距离，导致不同晶圆5的处理效果具有较大的差别。

发明内容

本发明解决的问题是现有的炉管装置中的晶圆仅能沿炉管装置的高度方向依次设置，使得晶圆分布跨度长，导致晶圆处理效果具有较大差异。

为解决上述问题，本发明提供一种炉管装置，包括底座和壳体，所述底座、壳体围成适于容纳晶圆的炉管腔，所述底座面向所述炉管腔的表面上设有多个适于放置晶圆的托盘。

可选的，所述底座可旋转的设置于所述壳体，且多个所述托盘沿所述底座的周向分布。

可选的，所述托盘可旋转的设置于所述底座。

可选的，所述壳体包括侧壁和顶壁，所述侧壁包括同心设置的环形外壁和环形内壁，所述环形外壁、环形内壁和所述底座、顶壁围成呈环形形状的所述炉管腔。

可选的，所述环形外壁包括沿径向方向由内向外的外导热层、外加热层和外隔热层，适于对所述炉管腔进行加热；和/或，所述环形内壁包括沿径向方向由外向内的内导热层、内加热层和内隔热层，适于对所述炉管腔进行加热。

可选的，所述外加热层为电加热丝；和/或，所述内加热层为电加热丝。

可选的，所述环形外壁上设有适于通入工艺气体的多个通气孔，多个所述通气孔沿所述环形外壁的周向均匀设置；和/或，所述环形内壁上设有适于通入工艺气体的多个通气孔，多个所述通气孔沿所述环形内壁的周向均匀设置。

可选的，所述炉管装置还包括通气管，所述通气管固定穿设于所述底座，连通所述炉管腔和外界，适于向所述炉管腔通入工艺气体。

可选的，所述通气管为多个，多个所述通气管沿所述底座的周向均匀分布。

可选的，所述通气管具有沿所述炉管腔高度方向上的多个出气口；或，所述通气管为多个，其中至少一个所述通气管的出气口靠近所述炉管腔的顶部，其中至少一个所述通气管的出气口靠近所述炉管腔的底部。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：