[发明专利]新型射频谐振器薄膜及其构造方法有效
| 申请号： | 201711462702.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108173530B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 珠海晶讯聚震科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 射频 谐振器 薄膜 及其 构造 方法 | ||
1.一种制造BaxSr(1-x)TiO3单晶及其薄膜的方法，依次包括：
在由C轴0001单晶蓝宝石晶体和/ 或膜构成的衬底上，沉积由C轴0001单晶GaN构成的释放层；
在所述释放层上方沉积缓冲层；其中，所述缓冲层的晶格间距被构造成与所述释放层的晶格间距以及与随后生长的压电薄膜的晶格间距均紧密匹配；
在所述缓冲层上生长包括111取向的BaxSr(1-x)TiO3压电薄膜；
其中，所述缓冲层包括100金红石TiO2层和/或111SrTiO3的缓冲层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中将散热层沉积在所述衬底的背面。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述散热层包括钛。
4.根据权利要求1所述的方法，其中x为0.5及其范围至多到±1％的公差。
5.根据权利要求1所述的方法，其中x为0.35及其范围至多到±1％的公差。
6.根据权利要求1所述的方法，其中x为0.2及其范围至多到±1％的公差。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述0001GaN释放层具有的厚度在1至10um范围内。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述0001GaN释放层具有的厚度在3至5um范围内。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述0001GaN释放层具有的厚度为4um。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述缓冲层具有的厚度在4至5um范围内。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述缓冲层的厚度为4.4um。
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