[发明专利]新型射频谐振器薄膜及其构造方法

说明书

一种首次采用分子束外延技术制备的Ba_xSr_(1‑x)TiO₃(BST)单晶薄膜，薄膜的厚度通常为200nm至500nm，并且公差可以被控制在1％以内。其可以制造在蓝宝石晶圆载体上，然后可以将其分离。薄膜的平滑度具有小于1nm的RMS。这种膜非常有希望用于下一代RF滤波器。

技术领域

本发明涉及一种新型射频谐振器薄膜及其构造方法。

背景技术

手机用户要求在更广阔的区域内拥有高质量的信号接收与传输，射频(RF)信号的质量取决于手机中的射频滤波器。每个射频滤波器都可以传导特定的频率并阻挡其他不需要的频率，这一特性使得频段选择成为可能，并且允许手机只处理指定的某些信号。

据信到2020年，载波聚合、5G、4x4MIMO等技术将成为主流应用，届时手机内的滤波器将增至100个之多，全球滤波器市场年需求量将达2千亿只。

声波谐振器是射频滤波器和传感器的基本组件，一般都含有将机械能转化为电能的压电机电转导层。这些谐振器必须物美价廉。表面声波(SAW)谐振器和体声波(BAW)谐振器是其最常见的两种类型。

在表面声波谐振器中，声波信号是由表面波传导。在体声波(BAW)谐振器中，信号在谐振器薄膜的体内传导。这两种滤波器的谐振频率，是由其本身尺寸、构成材料的机械性能所决定的一种特质。

谐振器的质量由其品质因子给出，它是谐振器所储存的能量与其消散的能量之比率。品质因子的值高说明滤波器在工作中损失的能量少，插入损耗较低，拥有更加陡峭的裙边曲线，与临近波频有更加显著的隔离区分。

为了接收与传输日益增大的数据流，下一代手机需要在更高的频段下工作。在不增大手机体积的前提下处理如此高的频率，就必须有能处理高频率信号、小巧且耗能低的谐振器，将其置于手机中不至于大量消耗电池的电量。

品质因子，或称Q因子，是一个无量纲参数，它描述振荡器或谐振器的振动衰减，表征谐振器相对其中心频率的带宽。下一代手机需要使用Q因子高的高质量谐振器。

体声波(BAW)滤波器相较于表面声波(SAW)滤波器有更佳的表现。最好的SAW滤波器的Q因子可达1000至1500，而目前最先进的BAW滤波器Q因子已可达2500至5000。

相较于SAW滤波器，BAW滤波器可在更高的频率下工作，消耗更少的能量，拥有更小巧的体积，更高的防静电放电(ESD)能力，更好的辐射发散能力以及更少的带外波纹。

然而，SAW滤波器的制造流程却更为简单，造价相对低廉。由于可以通过光刻的布局来调整IDT间距，频率相差甚远的谐振器亦可被组装在同一晶片上，并使用同一厚度的压电薄膜。

BAW谐振器的电阻具有两个特征频率：谐振频率f_R和反谐振频率f_A。在f_R处，电阻非常小，而在f_A处，电阻则非常大。滤波器是通过组合几个谐振器而制成。并联谐振器的频率会依据串联谐振器的频率做相应的偏移。当串联谐振器的谐振频率等于并联谐振器的反谐振频率时，最大信号从设备的输入端传输到输出端。在串联谐振器的反谐振频率处，输入端和输出端之间的阻抗非常高，滤波器的传输被阻挡。在并联谐振器的谐振频率处，任何通过滤波器的电流都会由于并联谐振器的超低阻抗而接地短路，因而BAW滤波器亦具有阻止该频率信号传输的功能。f_R和f_A之间的频率间隔决定了滤波器带宽。