[发明专利]静态随机存取存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供初始基底，所述初始基底包括至少一个第一区；

去除部分第一区初始基底，形成基底、位于基底表面的第一鳍部、以及位于基底表面的第二鳍部，部分所述第一鳍部用于形成传输晶体管，部分第一鳍部和第二鳍部用于形成下拉晶体管，所述下拉晶体管的沟道具有第一导电类型；

在所述第二鳍部内掺入第一离子，所述第一离子具有第二导电类型，且所述第二导电类型与第一导电类型相反；所述第二鳍部内第一离子的掺杂浓度高于所述第一鳍部内第一离子的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述下拉晶体管和传输晶体管为NMOS晶体管。

3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一离子包括：硼离子或者BF₂⁺离子。

4.如权利要求3所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在所述第二鳍部内掺入第一离子的工艺包括：第一离子注入工艺；当所述第一离子为硼离子时，所述第一离子注入工艺的参数包括：注入能量为3千电子伏～10千电子伏，注入剂量为1e14原子数/平方厘米～1e15原子数/平方厘米，注入角度为0度～20度。

5.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，沿第一鳍部的宽度方向上，所述第一鳍部具有相对的第三侧和第四侧，所述第二鳍部具有第五侧，且第五侧到第三侧的距离最近；在所述第二鳍部内掺入第一离子的步骤包括：在所述第一鳍部的第四侧基底表面形成第一光刻胶；以所述第一光刻胶为掩膜，在所述第二鳍部的第五侧侧壁内掺入第一掺杂离子。

6.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在所述第二鳍部内掺入第一离子之前，所述形成方法还包括：在所述第一鳍部和第二鳍部内掺入第一离子。

7.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述基底、第一鳍部和第二鳍部的形成步骤包括：在所述初始基底表面形成若干相互分立的牺牲层，所述牺牲层包括相对的第一侧和第二侧；在所述牺牲层的第一侧的侧壁形成第一侧墙部；在所述牺牲层的第二侧的侧壁形成第二侧墙部；以所述第一侧墙部和第二侧墙部为掩膜，刻蚀所述第一区初始基底，形成基底、位于第一侧墙部底部的第一鳍部以及位于第二侧墙部底部的第二初始鳍部；去除部分第二初始鳍部，形成第二鳍部。

8.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在所述第二鳍部内掺入第一离子之后，所述形成方法还包括：形成横跨第一鳍部的第一栅极结构；形成横跨第一鳍部和第二鳍部的第二栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一源漏掺杂区；在所述第二栅极结构两侧的第一鳍部和第二鳍部内形成第二源漏掺杂区。

9.如权利要求8所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部、第一栅极结构和第一源漏掺杂区构成传输晶体管，所述第一鳍部、第二鳍部、第二栅极结构和第二源漏掺杂区构成下拉晶体管。

10.如权利要求9所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述基底还包括位于相邻第一区之间的第二区；所述第二区用于形成上拉晶体管；所述第二区基底上也具有第一鳍部和第二初始鳍部；所述形成方法还包括：去除所述第二区第二初始鳍部和部分第一鳍部，在所述第二区基底上形成第三鳍部；形成横跨第三鳍部的第三栅极结构；在所述第三栅极结构两侧的第三鳍部内形成第三源漏掺杂区。

11.如权利要求10所述的静态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述静态随机存取存储器为6T结构时，所述上拉晶体管的个数为两个，所述下拉晶体管的个数为两个，所述传输晶体管的个数为两个。