[发明专利]静态随机存取存储器及其形成方法

说明书

一种静态随机存取存储器及其形成方法，其中形成方法包括：提供初始基底，所述初始基底包括至少一个第一区；去除部分第一区初始基底，形成基底、位于基底表面的第一鳍部、以及位于基底表面的第二鳍部，部分所述第一鳍部用于形成传输晶体，部分第一鳍部和第二鳍部用于形成传输晶体管，所述传输晶体管的沟道具有第一导电类型；在所述第二鳍部内掺入第一离子，所述第一离子具有第二导电类型，且所述第二导电类型与第一导电类型相反。所述方法形成的静态随机存取存储器性能较好。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种静态随机存取存储器及其形成方法。

背景技术

随着数字集成电路的不断发展，片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分。静态随机存取存储器只要为其供电即可保存数据，无需不断对其进行刷新。

基础静态随机存取存储器一般包括六个晶体管：2个上拉晶体管(Pull-uptransistor，PU)、2个下拉晶体管(Pull-down transistor，PD)以及2个传输晶体管(Pass-gate transistor，PG)。在静态随机存取存储器的神经过程中，通常要保证足够大的β比率(Ipd/Ipg电流比)，以获得足够高的静态噪声容限(Static-noise Margin，SNM)，同时要求γ比率(Ipg/Ipu电流比)足够大，以获得良好的可写性(Writability)。因此，对于传输晶体管性能的不同要求，造成静态随机存取存储器的可写性与读取稳定性之间的冲突。

然而，现有技术形成的静态随机存取存储器性能仍较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种静态随机存取存储器及其形成方法，以提高静态随机存取存储器的性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种静态随机存取存储器的形成方法，包括：提供初始基底，所述初始基底包括至少一个第一区；去除部分第一区初始基底，形成基底、位于基底表面的第一鳍部和第二鳍部，部分所述第一鳍部用于形成传输晶体管，部分第一鳍部和第二鳍部用于形成传输晶体管，所述下拉晶体管的沟道具有第一导电类型；在所述第二鳍部内掺入第一离子，所述第一离子具有第二导电类型，且所述第二导电类型与第一导电类型相反。

可选的，所述下拉晶体管和传输晶体管为NMOS晶体管。

可选的，所述第一离子包括：硼离子或者BF₂⁺离子。

可选的，在所述第二鳍部第三侧侧壁内掺入第一离子的工艺包括：第一离子注入工艺；当所述第一离子为硼离子时，所述第一离子注入工艺的参数包括：注入能量为3千电子伏～10千电子伏，注入剂量为1e14原子数/平方厘米～1e15原子数/平方厘米，注入角度为0度～20度。

可选的，沿第一鳍部的宽度方向上，所述第一鳍部具有相对的第三侧和第四侧，所述第二鳍部具有第五侧，且第五侧到第三侧的距离最近；在所述第二鳍部内掺入第一离子的步骤包括：在所述第一鳍部的第四侧基底表面形成第一光刻胶；以所述第一光刻胶为掩膜，在所述第二鳍部的第五侧侧壁内掺入第一掺杂离子。

可选的，在所述第二鳍部内掺入第一离子之前，所述形成方法还包括：在所述第一鳍部和第二鳍部内掺入第一离子。

可选的，所述基底、第一鳍部和第二鳍部的形成步骤包括：在所述初始基底表面形成若干相互分立的牺牲层，所述牺牲层包括相对的第一侧和第二侧；在所述牺牲层的第一侧形成第一侧墙部；在所述牺牲层的第二侧形成第二侧墙部；以所述第一侧墙部和第二侧墙部为掩膜，刻蚀所述初始基底，形成基底、位于第一侧墙部底部的第一鳍部以及位于第二侧墙部底部的第二初始鳍部；去除部分第二初始鳍部，形成第二鳍部。