[发明专利]电容器

说明书

本发明提供了一种电容器，所述电容器包括：衬底；至少一层电极层，位于所述衬底上，所述电极层包括：第一极板和第二极板，所述第一极板和所述第二极板均呈叉指结构且相对交错排布，所述第一极板用于连接共模电压，所述第二极板用于连接参考电压；导电层，位于所述衬底上，所述导电层能够与所述第一极板产生寄生电容，且所述导电层与所述第二极板连接。本发明通过增加导电层，所述导电层能与第一极板产生寄生电容，阻断原第一极板和相邻层之间产生的寄生电容；将导电层与第二极板连接，将寄生电容引到第二极板上，最终减小了第一极板的寄生电容，提高了包括电容器的ADC(模数转换器)的线性度。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其是一种电容器。

背景技术

集成电路制造CMOS工艺常用的电容器类型为由电极层构成的叉指结构的MOM(金属-氧化物-金属)电容器，该电容器主要利用同层的叉指之间形成的电容，而电极层与相邻层之间形成的电容成为寄生电容。图1是现有技术的电容器结构，该电容器100主要由一个叉指结构的第一极板121和一个叉指结构的第二极板122组成，两个极板的叉指插入对方的间隙，利用同层之间叉指与叉指之间的电容，然而相邻的层之间也会产生寄生电容。ADC(模数转换器)设计中，通常第二极板122通过开关连接参考电压或地，第一极板121连接共模电压，第一极板121到衬底的寄生电容Cpu将参与电荷的重新分配，从而影响ADC(模数转换器)线性度；而第二极板122的寄生电容Cpd则对于电荷分配没有影响，因此需要减小第一极板121的寄生电容，减小对ADC线性度的影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能减小第一极板寄生电容的电容器。

为了达到上述目的，本发明提供了一种电容器，所述电容器包括：

衬底；

至少一层电极层，位于所述衬底上，所述电极层包括：第一极板和第二极板，所述第一极板和所述第二极板均呈叉指结构且相对交错排布，所述第一极板用于连接共模电压，所述第二极板用于连接参考电压；

导电层，位于所述衬底上，所述导电层能够与所述第一极板产生寄生电容，且所述导电层与所述第二极板连接。

可选的，在所述的电容器中，所述导电层的数量为多层，所述电极层的上方和下方均至少形成有一层所述导电层，并且所述导电层至少部分对着所述第一极板。

可选的，在所述的电容器中，所述电极层的数量为n层，所述导电层的数量至少为n+1层，其中，n为自然数。

可选的，在所述的电容器中，所述导电层呈叉指结构，所述导电层的叉指数量与所述第一极板的叉指数量相同，所述导电层与所述第一极板正对。

可选的，在所述的电容器中，所述电容器还包括连接孔，所述导电层通过所述连接孔与所述第二极板连接。

可选的，在所述的电容器中，所述连接孔的数量为多个。

可选的，在所述的电容器中，所述导电层的材料选自金属或者多晶硅。

可选的，在所述的电容器中，所述电极层的材料选自金属。

可选的，在所述的电容器中，所述电容器还包括：

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述衬底上，所述电极层位于所述第一绝缘层中；

第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述衬底上，所述导电层位于所述第二绝缘层中，且所述导电层通过所述第二绝缘层或者所述第一绝缘层与所述电极层绝缘。

在本发明提供的电容器中，通过增加导电层，所述导电层能与第一极板产生寄生电容，阻断原第一极板和相邻层之间产生的寄生电容；将导电层与第二极板连接，将寄生电容引到第二极板上，最终减小了第一极板的寄生电容，提高了包括电容器的ADC(模数转换器)的线性度。