[发明专利]无芯板制作方法及其制造构件、支撑载体及其制作方法有效
申请号: | 201711464650.1 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108172542B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 谢添华;郭海雷;田生友 | 申请(专利权)人: | 广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘静 |
地址: | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无芯板 基板 半固化材料 支撑载体 预钻孔 定位孔 制造构件 制作 压合 填充 层叠设置 接合边缘 预设位置 载体铜箔 药水 分层 积层 制造 背离 侵蚀 贯穿 | ||
1.用于无芯板制造的支撑载体,其特征在于,包括层叠设置的两个基板,以及位于所述两个基板相互背离一侧的半固化材料层,所述半固化材料层远离所述基板的一侧还设有载体铜箔;所述支撑载体还包括在预设位置贯穿于所述两个基板的多个预钻孔,所述半固化材料层包裹于所述两个基板的沿周向的表面,并填充于所述预钻孔;
其中,所述预钻孔的径向尺寸大于无芯板积层压合中的定位孔的径向尺寸。
2.根据权利要求1所述的用于无芯板制造的支撑载体,其特征在于,所述定位孔的径向尺寸为0.5~2.5毫米;
所述预钻孔的径向尺寸与所述定位孔的径向尺寸之差大于等于0.5毫米。
3.根据权利要求1所述的用于无芯板制造的支撑载体,其特征在于,所述载体铜箔的表面粗化处理。
4.用于无芯板制造的支撑载体的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供层叠设置的两个基板;
在预设位置开设有贯穿两个基板的多个预钻孔;预钻孔的径向尺寸大于无芯板积层压合中的定位孔的径向尺寸;
在两个基板上积层压合半固化材料层及载体铜箔,以使半固化材料层填充于预钻孔,并包裹于两个基板沿周向的表面。
5.根据权利要求4所述的用于无芯板制造的支撑载体的制作方法,其特征在于,所述定位孔的径向尺寸为0.5~2.5毫米;
所述预钻孔的径向尺寸与所述定位孔的径向尺寸之差大于等于0.5毫米。
6.根据权利要求4所述的用于无芯板制造的支撑载体的制作方法,其特征在于,所述载体铜箔的表面粗化处理。
7.无芯板制造构件,其特征在于,包括如权利要求1~3任一项所述的支撑载体,以及设置于所述支撑载体两侧的无芯板;
所述无芯板包括内半固化片、外半固化片、内层铜箔和外层铜箔;所述内层铜箔两侧设置所述内半固化片,所述最外层的内层铜箔设置所述外半固化片,所述外固化片设置所述外层铜箔。
8.无芯板制作方法,其特征在于,包括步骤:
1)提供支撑载体;所述支撑载体包括层叠设置的两个基板,以及位于所述两个基板相互背离一侧的半固化材料层,所述半固化材料层远离所述基板的一侧还设有载体铜箔;所述支撑载体还包括在预设位置贯穿于所述两个基板的多个预钻孔,所述半固化材料层包裹于所述两个基板的沿周向的表面,并填充于所述预钻孔;其中,所述预钻孔的径向尺寸大于无芯板积层压合中的定位孔的径向尺寸;
2)在支撑载体两侧积层压合内层铜箔,各内层铜箔层之间设有内半固化片,在内层铜箔的外侧设置外半固化片,然后在外半固化片外侧设置外层铜箔并制成无芯板;
3)将无芯板从所述支撑载体分离。
9.根据权利要求8所述的无芯板制作方法,其特征在于,所述步骤3)之前还包括步骤:
在预设位置开设有贯穿无芯板及支撑载体的分离钻孔;其中,所述预钻孔的径向尺寸与所述定位孔的径向尺寸之差大于等于0.5毫米,所述分离钻孔的径向尺寸大于等于所述预钻孔的径向尺寸。
10.根据权利要求9所述的无芯板制作方法,其特征在于,所述定位孔的径向尺寸为0.5~2.5毫米;
所述分离钻孔的径向尺寸3.0~4.5毫米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造