[发明专利]无芯板制作方法及其制造构件、支撑载体及其制作方法有效
申请号: | 201711464650.1 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108172542B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 谢添华;郭海雷;田生友 | 申请(专利权)人: | 广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘静 |
地址: | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无芯板 基板 半固化材料 支撑载体 预钻孔 定位孔 制造构件 制作 压合 填充 层叠设置 接合边缘 预设位置 载体铜箔 药水 分层 积层 制造 背离 侵蚀 贯穿 | ||
本发明涉及一种用于无芯板制造的支撑载体,包括层叠设置的两个基板,以及位于两个基板相互背离一侧的半固化材料层,半固化材料层远离基板的一侧还设有载体铜箔;支撑载体还包括在预设位置贯穿于两个基板的多个预钻孔,半固化材料在支撑载体的压合过程中填充于预钻孔;预钻孔的径向尺寸大于无芯板积层压合中的定位孔的径向尺寸。由于半固化材料层填充于预钻孔,而预钻孔的径向尺寸大于定位孔的径向尺寸,则在后续开设定位孔的过程中,使两个基板的接合边缘处由半固化材料包裹,不会出现药水侵蚀,从而避免了基板分层的现象发生,提高了产品的质量。还提供一种无芯板制作方法、无芯板制造构件及用于无芯板制造的支撑载体的制作方法。
技术领域
本发明涉及无芯板技术领域,特别是涉及一种无芯板制作方法及其制造构件、支撑载体及其制作方法。
背景技术
随着半导体封装产品朝高性能、薄型化及低成本方向发展,催生了无芯板技术。一般地,在无芯板的制作过程中,需要借助于与无芯板形状相适应的支撑载体,并在支撑载体两侧进行生产制作,待无芯板制作成功后将无芯板与支撑载体分离得到成品板。
但部分单层无芯板为避免封装过程中发生翘曲,采用两个无粘结的支撑载体上同时进行增层制造,后采用机械式分离。但两个支撑载体机械钻孔及湿制程中,易受到药水咬蚀,导致出现支撑载体分层的问题,严重影响产品的品质。
发明内容
基于此,有必要针对传统的单层无芯板制造中,在机械钻孔及湿制程中易受到药水咬蚀,导致支撑载体分层的问题,提供一种防止支撑载体分层,提高产品质量的无芯板制作方法及其制造构件、支撑载体及其制作方法。
用于无芯板制造的支撑载体,包括层叠设置的两个基板,以及位于所述两个基板相互背离一侧的半固化材料层,所述半固化材料层远离所述基板的一侧还设有载体铜箔;所述支撑载体还包括在预设位置贯穿于所述两个基板的多个预钻孔,所述半固化材料层包裹于所述两个基板的沿周向的表面,并填充于所述预钻孔;
本申请中的用于无芯板制造的支撑载体,由于半固化材料层填充于预钻孔,而预钻孔的径向尺寸大于定位孔的径向尺寸,则在后续开设定位孔的过程中,使两个基板的接合边缘处由半固化材料包裹,不会出现药水侵蚀,从而避免了基板分层的现象发生,提高了产品的质量。
在其中一实施例中,所述定位孔的径向尺寸为0.5~2.5毫米;
所述预钻孔的径向尺寸与所述定位孔的径向尺寸之差大于等于0.5毫米。
在其中一实施例中,所述载体铜箔的表面粗化处理。
用于无芯板制造的支撑载体的制作方法,包括以下步骤:
提供层叠设置的两个基板;
在预设位置开设有贯穿两个基板的多个预钻孔;预钻孔的径向尺寸大于无芯板积层压合中的定位孔的径向尺寸;
在两个基板上积层压合半固化材料层及载体铜箔,以使半固化材料层填充于预钻孔,并包裹于两个基板沿周向的表面。
在其中一实施例中,所述定位孔的径向尺寸为0.5~2.5毫米;
所述预钻孔的径向尺寸与所述定位孔的径向尺寸之差大于等于0.5毫米。
在其中一实施例中,所述载体铜箔的表面粗化处理。
无芯板制造构件,包括如上述任一实施例中的支撑载体,以及设置于所述支撑载体两侧的无芯板;
所述无芯板包括内半固化片、外半固化片、内层铜箔和外层铜箔;所述内层铜箔两侧设置所述内半固化片,所述最外层的内层铜箔设置所述外半固化片,所述外固化片设置所述外层铜箔。
无芯板制作方法,包括步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造