[发明专利]一种高频高压二极管及其制作方法有效
申请号: | 201711465730.9 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108155105B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 王兴龙;王利军;邓令;刘章利 | 申请(专利权)人: | 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/31;H01L23/535 |
代理公司: | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人: | 顾晓玲 |
地址: | 405200 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高频 高压 二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种高频高压二极管,其特征在于,包括X个二极管芯片和一个肖特基芯片,所述X为大于1的正整数;
所有二极管芯片和肖特基芯片相互之间串联且导电方向相同,其中,X个二极管芯片依次按照顺序串联,肖特基芯片与第1个二极管芯片串联或肖特基芯片与第X个二极管芯片串联;
所述高频高压二极管还包括将二极管芯片和肖特基芯片包围的塑封层和外伸的引线,
其中,所述二极管芯片包括衬底层、设置在所述衬底层上的外延层以及设置在所述外延层上的至少三个扩散环,所述扩散环包括BSIT结构扩散环和增压环;所述外延层的导电类型与所述衬底层的导电类型相同,所述扩散环的导电类型与所述外延层的导电类型相反;
在同一BSIT结构扩散环的相邻环之间的外延层上设置有与外延层导电类型相同的掺杂层,掺杂层横向延伸入相应扩散环内部一定距离,在掺杂层之上设置有肖特基势垒;
扩散环的参数为:长度10μm,深度20~22μm,浓度为5~7×1016/cm3;掺杂层的参数为:深度1~2μm,宽度为4~5μm,浓度为5~7×1016/cm3。
2.根据权利要求1所述的高频高压二极管,其特征在于,所述扩散环的增压环之间或增压环与BSIT结构扩散环之间的距离为11μm,所述BSIT结构扩散环的相邻环之间距离为3-4μm。
3.根据权利要求1所述的高频高压二极管,其特征在于,塑封层为环氧树脂。
4.一种根据权利要求1-3任一项所述的高频高压二极管的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,装填:在石墨焊接盘中装入第二引线,焊片,肖特基芯片,二极管芯片,第一引线;
S2,焊接:在高温条件下,通过熔化的焊片将所有二极管芯片和肖特基芯片相互之间串联且导电方向相同;并在两端引出引线;
S3,成型:将焊接后的材料放在模具内,在200℃温度条件下,通过塑封压机挤压,使焊接后材料包裹环氧塑料形成相应外型;
S4,电镀:通过镀锡生产线使成型后材料的引线上电镀一定厚度的锡层;
S5,测试:依照设计的电参数规格对材料进行正向压降,反向击穿电压,反向恢复时间电性能测试,淘汰不良品;
S6,印字:对电性能合格品进行油墨印字或激光打标工序,标明型号和极性;
S7,检验包装:通过检验包装后形成成品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造