[发明专利]闪存阵列的制作方法及闪存阵列

权利要求书

1.一种闪存阵列的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底上分布有多个计划形成选择栅极的第一区域和计划形成控制栅极的第二区域；

在所述基底上依次形成衬垫氧化层、氮化硅层和介质掩模层；

刻蚀所述介质掩模层、所述氮化硅层、所述衬垫氧化层以及所述基底以形成浅沟槽；

在所述浅沟槽内填充隔离介质，然后去除剩余的所述介质掩模层和所述氮化硅层；

在所述第一区域和所述第二区域进行形成阱区的离子注入；

在第二区域进行调整控制栅极阈值电压的第一次离子注入和第二次离子注入，并且所述第二次离子注入还覆盖所述第一区域；

在所述第一区域形成第一部分选择栅极，在所述第二区域形成浮置栅极；

利用湿法刻蚀回刻蚀所述隔离介质，以在所述浮置栅极之间形成开口，并在所述第一部分选择栅极之间形成开口，其中，通过所述第一次离子注入和第二次离子注入，提高了所述隔离介质的刻蚀速率，避免残留；

在所述第一区域和所述第二区域形成层间介质层，然后去除所述第一区域的层间介质层；以及

在所述第一区域形成第二部分选择栅极，其中，所述闪存阵列的选择栅极包括所述第一部分选择栅极和所述第二部分选择栅极。

2.如权利要求1所述的闪存阵列的制作方法，其特征在于，所述选择栅极的形状为长条形，所述选择栅极包括位于所述长条形的两端的端部，所述闪存阵列的制作方法还包括在所述选择栅极的端部形成选择栅引出孔。

3.如权利要求1所述的闪存阵列的制作方法，其特征在于，还包括在所述第二区域的层间介质层上方形成控制栅极。

4.如权利要求1所述的闪存阵列的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用氢氟酸或者缓冲氧化物刻蚀酸。

5.如权利要求4所述的闪存阵列的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的时间为2～10分钟。

6.如权利要求1至5任一项所述的闪存阵列的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入使用的离子为P和As，其中，P的能量为50～60keV，As的能量为45～55keV。

7.如权利要求1至5任一项所述的闪存阵列的制作方法，其特征在于，所述第二次离子注入使用的离子为P和As，其中，P的能量为80～120keV，As的能量为160～180keV。

8.一种闪存阵列，采用包括如权利要求1～7中任一项所述的闪存阵列的制作方法形成，其特征在于，所述闪存阵列包括多个有源区，所述有源区在同一方向上的间隙宽度相等。