[发明专利]中枢记忆性T细胞体及其外培养方法

权利要求书

1.一种中枢记忆性T淋巴细胞的体外培养方法，其特征在于，包括以下步骤：

在细胞培养板中，包被 CD3抗体；

加入初始培养基和分选出来的CD4⁺T细胞进行培养，培养环境中氧气浓度为1±0.1%；所述初始培养基为基础培养基中加入有IL-21；所述初始培养基中所述白介素21的浓度为50ng/ml；

继续培养，每隔两天补充初始培养基；

第6天时，吸取细胞到离心管中，离心，去上清，用初始培养基重悬，然后转移到细胞培养板中继续培养；

第7天时，取培养瓶，包被CD3抗体；将T细胞转移到离心管中，离心，去上清，用再扩增培养基重悬，然后转移到T25培养瓶中继续培养；所述再扩增培养基为基础培养基中加入有50ng/ml的IL-21和雷帕霉素；所述再扩增培养基中所述雷帕霉素的浓度为10ng/ml；

继续培养，每隔两天补充再扩增培养基，培养到第14天收获中枢记忆性T淋巴细胞。

2.根据权利要求1所述的体外培养方法，其特征在于，所述基础培养基为AIM V培养基。

3.根据权利要求1所述的体外培养方法，其特征在于，所述CD4⁺T细胞来源于外周血或脐带血分离的PBMC细胞。

4.根据权利要求1所述的体外培养方法，其特征在于，在初始培养基和/或再扩增培养基中，还加入有CD28抗体，其浓度为2±0.2μg/mL。

5.根据权利要求1所述的体外培养方法，其特征在于，在初始培养基和/或再扩增培养基中，还加入有IL-2，其游离浓度为10±0.5ng/mL。

6.根据权利要求1所述的体外培养方法，其特征在于，所述CD3抗体的包被浓度为20±0.2μg/mL。