[发明专利]电极和QLED器件有效
申请号: | 201711470216.4 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN109994641B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 王雄志;向超宇;李乐;张滔;辛征航;李雪 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 qled 器件 | ||
1.一种电极,其特征在于,所述电极含有电极材料和磁性材料;其中,所述电极材料为阳极材料或阴极材料,所述电极材料为纳米颗粒,所述磁性材料包覆在所述电极材料表面,形成内核为电极材料,壳层为磁性材料的核壳结构;通过调整所述壳层的厚度用以调节载流子迁移率,所述磁性材料的功函数与电极材料的功函数之差不大于1.5ev,所述磁性材料的体积分数不超过5%。
2.如权利要求1所述的电极,其特征在于,所述磁性材料包括导电磁性材料和/或绝缘磁性材料。
3.如权利要求2所述的电极,其特征在于,所述导电磁性材料选自铁单质、铁合金、铁氧化物、钴单质、钴合金、钴氧化物、镍单质、镍合金和镍氧化物中的至少一种;或
所述绝缘磁性材料选自铁氧体和磁性橡胶中的至少一种。
4.如权利要求1所述的电极,其特征在于,所述壳层的厚度为1-12nm。
5.如权利要求1所述的电极,其特征在于,所述磁性材料的饱和磁化强度大于80emu/g;和/或
所述电极的光反射率为80%以上;和/或
所述电极的厚度为50-100nm。
6.如权利要求1-5任一项所述的电极,其特征在于,所述电极材料为阳极材料,且所述阳极材料选自ITO和TFO中的任意一种;或
所述电极材料为阴极材料,且所述阴极材料选自Ag、Al和Mg中的任意一种。
7.一种QLED,其特征在于,所述QLED器件含有权利要求1-6任一项所述的电极。
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