[发明专利]电极和QLED器件

说明书

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种电极和QLED器件。所述电极含有电极材料和磁性材料；其中，所述电极材料为阳极材料或阴极材料。本发明的电极中的磁性材料可以调节载流子迁移率，当电极材料为阳极时，磁性材料可调节空穴迁移率，当电极材料为阴极时，磁性材料可调节空穴迁移率，从而改善载流子的注入平衡；因此，该电极用于制备QLED器件时，可有效提高器件的发光效率和稳定性。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种电极和QLED器件。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes QLED)是基于无机纳米晶的量子点材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。通常在多层结构QLED器件中，影响其发光效率的重要一点即载流子平衡问题。通常可迁移空穴由阳极经空穴注入、传输层到达发光层，并与由阴极经电子注入、传输层迁移的电子复合形成激子，进而激子辐射发射光子。值得注意的是，过多的空穴或电子都会产生三粒子系统从而致使产生的激子淬灭，从而降低器件发光效率和稳定性。因此，在不同类型器件中，改变载流子迁移率，改善载流子注入平衡是提高器件效率和稳定性的有效方法。

近年来，由于喷墨打印技术具有高精度、无需Mask、非接触性、按需打印等优点而受到人们的广泛关注。其中基于溶液的功能性材料和先进的喷墨打印设备来制作光电器件，可有效提高材料利用率，降低成本并提高生产效率。但该技术的核心问题是喷墨打印设备对墨水的要求较高，包括墨水化学成分、物理性能、配置方法、打印前后处理方法等，这给墨水配制带来巨大的挑战。除此之外还必须考虑墨水是否会对器件的其他结构造成物理或化学性质的改变和损毁。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种电极和QLED器件，旨在解决现有QLED器件中载流子注入不平衡，从而影响器件的发光效率和稳定性的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种电极，所述电极含有电极材料和磁性材料；其中，所述电极材料为阳极材料或阴极材料。

本发明另一方面提供一种QLED，所述QLED器件含有本发明的上述电极。

本发明提供的电极，含有电极材料和磁性材料，因磁性材料可以调节载流子迁移率(如电子迁移率或空穴迁移率)，当电极材料为阳极时，磁性材料可调节空穴迁移率，当电极材料为阴极时，磁性材料可调节空穴迁移率，从而改善载流子的注入平衡；因此，该电极用于制备QLED器件时，可有效提高器件的发光效率和稳定性。

本发明提供的QLED器件含有本发明的电极，因电极中的磁性材料可以调节载流子迁移率(如电子迁移率或空穴迁移率)，从而改善载流子的注入平衡，因此，该QLED器件具有很好的发光效率和稳定性。

附图说明

图1为本发明的磁性材料施加外场前后的磁矩方向变化图；

图2为本发明实施例1中不同厚度的磁性层对QLED器件发光效率影响图；

图3为本发明实施例4中铁掺杂对氧化锌薄膜的载流子迁移率的影响图；

图4为本发明实施例5中铁掺杂对QLED器件发光效率影响图；

图5为本发明实施例6中钴掺杂对氧化钛薄膜的载流子迁移率的影响图；

图6为本发明实施例7中铁掺杂对QLED器件发光效率影响图；

图7为本发明实施例8中铁掺杂对Poly-TPD薄膜的载流子迁移率的影响图；

图8为本发明实施例9中铁掺杂对QLED器件发光效率影响图。

具体实施方式