[发明专利]一种掩模板制作的优化设计方法

说明书

技术领域

本发明涉及掩模板生产技术领域，特别是指一种掩模板制作的优化设计方法。

背景技术

TFT LCD是薄膜晶体管液晶显示器英文thin film transistor-liquid crystal display字头的缩写。TFT LCD技术是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术。人们利用在SI上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行TFT阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用业已成熟的LCD技术，形成一个液晶盒相结合，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器。

掩模板是TFT LCD产品生产过程中的重要组成部件，其精度会影响到TFT LCD产品的精度。掩模板可经光透制成，光透制成的掩模板是刻有微电路的高精度版，由表面纯平并带有一层铬的石英板或玻璃板制作而成，蚀刻后的残留铬部分即为设计的微电图。为了获得高精度的掩模板，图1公开了现有技术中掩模板制作流程的一个实施例。在制作流程的众多工序中，曝光是一个非常关键的工序，激光在对掩模板进行曝光前，曝光设备会对数据按照图案形状、设备光束数量及宽度进行X或Y方向划分成相应的曝光条数，然后在曝光时会按照X或Y方向逐行逐条(逐列逐条)完成扫描曝光。图2为掩模板上数据图形的一个实施例，如图3所示，曝光设备发出激光逐行对其进行扫描曝光，沿Y方向，曝光条数分别为第N条、第N+1条、第N+2条……，图中相邻曝光条数均存在重叠区域，比如第N条和第N+1条交接的两条横线之间即为重叠区域，第N+1条和第N+2条交接处两条横线之间也为重叠区域。在其他实施例中，扫描曝光也可能是沿Y方向自下而上进行，也可沿着X正半轴方向或X负半轴方向进行。处在重叠区域的数据图形在曝光时会经过两次扫描曝光，导致重叠区域的线条精度比掩模板其他区域的线条精度降低，致使整张掩模板的线条精度不一致，进而降低了TFT LCD产品的品质。

为了满足TFT LCD产品对高品质高精度掩模板的需求，生产掩模板的曝光设备的各公司也研发出了更高端曝光设备，在曝光前，进一步对已经划分好曝光条数的数据图形进行再次扫描位置设定，使经过重新定位曝光开始扫描位置的每块重叠区域在曝光时的能量保持一致。但是，重新划分的重叠区域依然存在两次扫描，重叠区域的线条精度依然会有变小的现象。

发明内容

本发明提出一种掩模板制作的优化设计方法，解决了现有技术中重叠区域经过两次扫描导致掩模板上部分数据图形线条精度降低的问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种掩模板制作的优化设计方法，适用于掩模板曝光工序，具体包括以下步骤：

曝光设备根据数据图形、光束数量及光束扫描宽度进行X/Y方向划分，计算出相应的曝光条数，获取相邻曝光条数重叠区域的位置以及重叠区域所对应的数据图形；

根据重叠区域所对应的数据图形再次设计增加数据图案，以再次设计增加的数据图案消弱或反补重叠区域的二次曝光能量。

进一步的，反补重叠区域的二次曝光能量具体包括以下步骤：

沿着重叠区域所对应的数据图形的外边缘向外延伸设计，反补二次曝光能量。

进一步的，消弱重叠区域的二次曝光能量具体包括以下步骤：

在二次曝光前，采用增加马赛克图案的再次设计方案对重叠区域所对应的数据图形的边缘附近进行部分遮盖。

进一步的，消弱重叠区域的二次曝光能量具体包括以下步骤：

在二次曝光前，采用增加分段式图案的再次设计方案对重叠区域所对应的数据图形的边缘附近进行部分遮盖。

进一步的，数据图案由若干圆形、长条形、方形、锥形、梯形、三角形和/或不规则形状的单元图形组合构成。

进一步的，任一单元图形的图形尺寸均小于曝光设备实际制作能力的图形尺寸。

本发明的有益效果在于：针对重叠区域的数据图形再次设计数据图案，该数据图案可以消弱或反补重叠区域二次曝光能量，从而可以提高重叠区域线条精度，使掩模板上图形线条精度保持一致，整体均匀性比较好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中掩模板制作流程一实施例的流程图；

图2为掩模板数据图形的部分结构示意图；

图3为经过曝光条数划分的掩模板的部分结构示意图；