[发明专利]芯片封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括一塑封体，在所述塑封体内设置有至少一个芯片，所述芯片一表面设置有芯片焊垫，所述芯片焊垫与一重布线层的金属块连接，一管脚层包括多个管脚，多个管脚设置在所述塑封体表面，且多个管脚分别与所述重布线层的金属块连接，进而将所述芯片焊垫连接至所述管脚，所述管脚用于与外部构件连接。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括一载体，所述芯片设置在所述载体上，所述塑封体塑封所述载体上表面。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述载体包括一绝缘层及设置在所述绝缘层下表面的保护层，所述芯片设置在所述绝缘层上表面，所述塑封体塑封所述绝缘层上表面。

4.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述载体包括依次设置的金属层、绝缘层及保护层，所述芯片设置在所述金属层上表面，所述塑封体塑封所述金属层上表面。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封体中对应所述芯片焊垫的位置设置有过孔，以暴露出所述芯片焊垫，所述重布线层还包括一填充所述过孔的金属柱，所述金属柱分别与所述芯片焊垫及所述金属块连接。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封体中对应所述重布线层的金属块的位置设置有过孔，以暴露出所述金属块，所述管脚层还包括一填充所述过孔的连接柱，所述连接柱分别与所述金属块及所述管脚连接。

7.一种芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一载体；

在所述载体上设置至少一芯片，所述芯片具有芯片焊垫的表面朝上；

形成第一次级塑封体，所述第一次级塑封体包覆所述芯片，所述芯片焊垫暴露于所述第一次级塑封体表面；

在所述第一次级塑封体表面形成重布线层，所述重布线层的各个金属块分别与所述芯片焊垫连接；

形成一第二次级塑封体及多个管脚，所述第二次级塑封体覆盖所述重布线层，所述多个管脚暴露于所述第二次级封装体的表面且分别与所述重布线层的各个金属块连接，所述第一次级塑封体与所述第二次级塑封体共同形成一塑封体。

8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述载体包括一绝缘层及设置在所述绝缘层下表面的保护层，所述芯片设置在所述绝缘层上表面。

9.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述载体包括依次设置的金属层、绝缘层及保护层，所述芯片设置在所述金属层上表面。

10.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述芯片焊垫暴露于所述第一次级塑封体表面的方法为：塑封时，所述第一次级塑封体并未覆盖所述芯片焊垫的上表面，直接暴露出所述芯片焊垫；或者，塑封时，所述第一次级塑封体覆盖所述芯片焊垫的上表面，塑封后研磨所述第一次级塑封体，以暴露出所述芯片焊垫；或者，塑封时，所述第一次级塑封体覆盖所述芯片焊垫的上表面，塑封后，在所述芯片焊垫对应位置处形成过孔，以暴露出所述芯片焊垫的上表面。

11.根据权利要求10所述的封装方法，其特征在于，当塑封时，所述第一次级塑封体覆盖所述芯片焊垫的上表面，塑封后，在所述芯片焊垫对应位置处形成过孔，以暴露出所述芯片焊垫的上表面时，形成所述重布线层的方法包括如下步骤：

在所述第一次级塑封体表面沉积一金属层，所述金属层填充所述过孔并覆盖在所述第一次级塑封体表面；

图形化所述金属层，形成所述重布线层，所述重布线层包括位于所述过孔内的金属柱及位于所述第一次级塑封体表面的金属块，所述金属柱分别与所述芯片焊垫及所述金属块连接。