[发明专利]一种垂直结构粗化方法在审
| 申请号： | 201711475429.6 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108364844A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 单志远;陈党盛;王亚洲 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粗化 等离子体处理 垂直结构 等离子体增强化学气相沉积法 表面施加 表面形成 粗化处理 氧化层 晶胞 腐蚀 芯片 受损 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直结构粗化方法，其特征在于，包括：
在露出的GaN层表面施加等离子体处理工艺，并在GaN层表面形成一氧化层；
对所述的GaN层进行粗化处理。
2.如权利要求1所述的垂直结构粗化方法，其特征在于，所述的等离子体处理工艺包括：
通过等离子体增强化学气相沉积法向GaN层表面通一定量的O2。
3.如权利要求1所述的垂直结构粗化方法，其特征在于，所述的氧化层为钝化态，用于改变GaN层表面的势垒。
4.如权利要求1所述的垂直结构粗化方法，其特征在于，对所述的GaN层进行粗化处理包括：
通过一定浓度和温度的KOH对GaN层进行处理。
5.如权利要求1所述的垂直结构粗化方法，其特征在于，所述的O2对GaN层氧化反应条件：
温度为150-260℃，功率为200-500W，反应时间为：3-10min。
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