[发明专利]一种垂直结构粗化方法

说明书

本发明公开了一种垂直结构粗化方法，包括：在露出的GaN层表面施加等离子体处理工艺，并在GaN层表面形成一氧化层；对GaN层进行粗化处理。等离子体处理工艺包括：通过等离子体增强化学气相沉积法向GaN层表面通一定量的O2。本发明利用PECVD在GaN表面处理用来抑制KOH腐蚀使晶胞受损较小，解决过粗化及粗化不均等问题，提高芯片性能。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种垂直结构粗化方法。

背景技术

GaN表面粗化后具有VF低、发光强度高、发光分布均匀、耗电量小、寿命长等优点，在垂直等结构中广泛被应用。在粗化前对于N型GaN表面的处理方案对控制粗化效率和优劣有关键作用。

然而在对GaN表面进行粗化时，通常对GaN表面过度粗化或粗化不均匀，如图1所示，过粗化后的晶胞疏而秃，形貌差，其晶胞受损严重，从而降低了芯片的性能。

发明内容

本发明的目的是提供一种垂直结构粗化方法，利用PECVD在GaN表面处理用来抑制KOH腐蚀使晶胞受损较小，解决过粗化及粗化不均等问题，提高芯片性能。

为了实现以上目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种垂直结构粗化方法，其特点是，包括：

在露出的GaN层表面施加等离子体处理工艺，并在GaN层表面形成一氧化层；

对所述的GaN层进行粗化处理。

所述的等离子体处理工艺包括：

通过等离子体增强化学气相沉积法向GaN层表面通一定量的O2。

所述的氧化层为钝化态，用于改变GaN层表面的势垒。

对所述的GaN层进行粗化处理包括：

通过一定浓度和温度的KOH对GaN层进行处理。

所述的O2对GaN层氧化反应条件：

温度为150-260℃，功率为200-500W，反应时间为：3-10min。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：

在GaN表面利用PECVD等离子体处理，用来抑制KOH腐蚀使晶胞受损较小，减少过粗化现象，增加器件的抗静电能力，提高电流的均匀分布，从而提高垂直结构LEDs的发光性能；

采用 PECVD 做GaN表面处理，优化粗化形貌，提高垂直结构芯片的发光强度。

附图说明

图1为现有技术中粗化后的晶胞示意图；

图2为本发明一种垂直结构粗化方法的流程图；

图3为本发明一种垂直结构的粗化后的结构示意图；

图4为使用本发明后的GaN表面的晶胞图。

具体实施方式

以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。

为解决现有技术中对GaN表面过度粗化或粗化不均匀的问题，本申请的发明人经过研究提出了一种新的垂直结构粗化方法。以下对该垂直结构粗化方法进行详细描述。

图2为本发明一种垂直结构粗化方法的流程图，该方法包含：

步骤S101，在露出的GaN层表面施加等离子体处理工艺，并在GaN层表面形成一氧化层；

步骤S102，对所述的GaN层进行粗化处理。