[发明专利]半导体器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：

半导体衬底，形成有若干个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构在所述半导体衬底内隔离出若干个间隔排布的有源区；

若干个平行间隔排布的字线，位于所述半导体衬底内，所述字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向成第一角度；

若干个平行间隔排布的位线，位于所述半导体衬底上；所述位线的延伸方向与所述有源区的延伸方向成第二角度，且与所述字线延伸的方向成第三角度，其中所述第三角度大于所述第一角度且大于所述第二角度；每一所述位线具有第一部分、第二部分及第三部分；其中，沿着所述位线的延伸方向，所述位线的第一部分位于同一所述有源区中相邻所述字线之间与所述有源区交迭的区域上；所述位线的第二部分位于所述字线上；所述位线的第三部分位于不同所述有源区之间的相邻所述字线之间，且所述位线的第三部分交迭于相邻所述有源区之间的所述浅沟槽隔离结构上，所述位线的第三部分在所述半导体衬底上的正投影还局部覆盖所述浅沟槽隔离结构两侧所述有源区的部分区域；沿所述字线的延伸方向，所述位线的第一部分与相邻的另一所述位线的第三部分同位于两相邻所述字线间的同一间隔中；

有源覆盖层，位于所述半导体衬底上，且至少位于所述位线的第三部分与所述浅沟槽隔离结构之间；

导电栓塞，具有填充部以及由所述填充部侧向延伸的延伸部，其中，至少一所述导电栓塞的所述填充部位于所述半导体衬底上且在所述位线的第三部分和相邻所述位线的第一部分之间，以电连接被所述位线的第三部分局部覆盖的所述有源区；所述延伸部由所述填充部侧壁延伸至所述位线的第三部分下方的所述有源区上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：依据所述字线的延伸方向，相邻所述位线之间的间距大于所述浅沟槽隔离结构沿所述字线延伸方向的宽度尺寸，且小于所述浅沟槽隔离结构沿所述字线延伸方向的宽度尺寸与所述有源区沿所述字线延伸方向的宽度尺寸之和。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述位线包括叠层结构及覆盖于所述叠层结构外围的侧墙结构，其中，所述叠层结构包括由下至上依次叠置的导线黏附层、导线主体层及顶层介质层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于：所述导线黏附层的材料包含由硅化钨、氮化钛和导电型硅化物的其中一种，所述导线主体层的材料包含钨，所述顶层介质层的材料包含氮化硅。

5.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于：所述侧墙结构包括第一介质层、第二介质层及第三介质层，其中，所述第一介质层覆盖于所述叠层结构的外壁上，所述第二介质层覆盖于所述第一介质层的外壁上，所述第三介质层覆盖于所述第二介质层的外壁上。

6.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括位线接触，所述位线接触至少形成于所述位线的第一部分及所述位线的第三部分下方，所述位线接触电连接所述叠层结构与所述有源区。

7.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于：所述位线接触的材料包含导电型掺杂多晶硅。

8.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于：位于所述位线的第一部分下方及所述位线的第三部分下方的所述位线接触由同一多晶硅层刻蚀而成。

9.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于：所述延伸部向所述位线的第三部分下方的所述有源区上延伸的长度尺寸小于所述侧墙结构的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述有源覆盖层的材料包含氧化硅。

11.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构部还包括保护层，所述保护层至少位于所述位线的第三部分与所述延伸部及所述有源覆盖层之间。