[发明专利]光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法有效

申请号：	201711481186.7	申请日：	2017-12-29
公开（公告）号：	CN108183070B	公开（公告）日：	2021-07-30
发明（设计）人：	庄宇鹏;刘伟;任思雨;谢志生;苏君海;李建华	申请（专利权）人：	信利（惠州）智能显示有限公司
主分类号：	H01L21/033	分类号：	H01L21/033;G03F7/20
代理公司：	广州华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	叶剑
地址：	516029 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	光刻梯形结构隔离形成方法
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【权利要求书】：

1.一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成负性光刻胶层；

采用掩膜板在第一预设光积量下对所述负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；

将所述基板平移预设距离，采用所述掩膜板在第二预设光积量下对所述负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域，以使得光刻胶感光区域截面成“T”字型结构；所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述重合区域曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量；所述第一预设光积量等于所述第二预设光积量；

将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作，以使所述“T”字形结构区域的负性光刻胶发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域；

将烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述将烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱之后，所述形成方法还包括如下步骤：

将所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱进行热烘操作。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述热烘操作的温度为210摄氏度～260摄氏度，所述热烘操作的时间为800秒～1000秒。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述热烘操作的温度为230摄氏度，所述热烘操作的时间为900秒。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述负性光刻胶层为采用负性光刻胶旋涂制备而成。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述重合区域占所述第二次曝光位置的面积的50％。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述显影操作的时间为120秒。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述烘烤操作的温度为115摄氏度～125摄氏度，所述烘烤操作的时间为140秒～160秒。

9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述烘烤操作的温度为118摄氏度～121摄氏度，所述烘烤操作的时间为145秒～155秒。

10.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述烘烤操作的温度为120摄氏度，所述烘烤操作的时间为140秒。