[发明专利]光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法

说明书

一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：在基板上形成负性光刻胶层；采用掩膜板在第一预设光积量下对负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；采用掩膜板在第二预设光积量下对负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，第二次曝光位置与第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；将第二次曝光后的负性光刻胶层进行烘烤操作；将烘烤操作后的负性光刻胶层进行显影操作，以使负性光刻胶层在基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，特别是涉及一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法。

背景技术

PMOLED(Passive matrix Organic Light-Emitting Diode，被动矩阵有机电激发光二极管)显示产品，为了将蒸镀材料隔开，基板上方通常需要做一层倒梯形结构的RIB(隔离柱)层。RIB层对于后续镀膜的质量具有重要影响。

目前为了制作光刻胶倒梯形结构，一般要采用负性光刻胶进行曝光处理，经过曝光的负性光刻胶，显影后留下来，未曝光区域的负性光刻胶被显影液显影掉。一般传统正常工艺，一次曝光，利用光的衍射效应，就能够制作出光刻胶倒梯形结构。如图1所示，理想情况下，光线21从掩膜板22上开设的透光孔22a通过之后会出现部分衍射，从而使得负性光刻胶23形成倒梯形结构的曝光部分23a，从而能够在显影后形成倒梯形结构的隔离柱，其中23b为未被曝光的负性光刻胶，24为基板。

但是，实际应用中，由于曝光设备以及光刻胶的局限性，曝光机光线衍射区域较小，使得做出来的隔离柱的倾斜角度较陡，如图2所示，隔离柱的倾斜角度分别为79.6度和79.9度，接近于80度，几乎接近于直角，使得倾斜坡度较小，无法较好地将蒸镀材料隔开，无法满足隔离蒸镀材料的要求。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够提高隔离柱的倾斜坡度以及能够较好地将蒸镀材料隔开的光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法。

一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：

在基板上形成负性光刻胶层；

采用掩膜板在第一预设光积量下对所述负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；

采用所述掩膜板在第二预设光积量下对所述负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述重合区域曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量；

将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作；

将烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。

在其中一个实施例中，在所述将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱之后，所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法还包括如下步骤：

将所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱进行热烘操作。

在其中一个实施例中，所述热烘操作的温度为210摄氏度～260摄氏度，所述热烘操作的时间为800秒～1000秒。

在其中一个实施例中，所述热烘操作的温度为230摄氏度，所述热烘操作的时间为900秒。

在其中一个实施例中，所述第一预设光积量等于所述第二预设光积量。

在其中一个实施例中，所述重合区域占所述第二次曝光位置的面积的50％。