[发明专利]用于制备切割硅片的基础硅片及制备方法和用途在审
| 申请号： | 201711481367.X | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108582527A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘运宇;蒋方丹;王栩生;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;H01L31/18;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 制备 切割 边长 平行 裂解 投影 单晶硅片 裂纹方向 切割位置 使用寿命 细小裂纹 延长组件 破片率 有效地 切片 倒角 衰减 | ||
1.一种用于制备切割硅片的基础硅片，其特征在于，所述基础硅片的表面为方形或带倒角的方形，所述基础硅片的自然裂解方向在基础硅片的表面的投影平行于所述基础硅片的一组相对边长；
所述基础硅片为单晶硅片。
2.如权利要求1所述的基础硅片，其特征在于，所述基础硅片的厚度≤220μm；
优选地，所述基础硅片的边长为156mm；
优选地，所述基础硅片的表面为正方形或带倒角的正方形。
3.一种如权利要求1或2所述的基础硅片的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)将硅棒切割得到硅方棒，切割过程保证，在硅棒横截面中，楞线所在点与对应的硅方棒所在方形的边长的中点的连线经过所述方形的对称中心；
(2)按照预定硅片厚度切割得到基础硅片；
优选地，步骤(2)所述“按照预定硅片厚度切割得到基础硅片”的切割方向使得基础硅片的表面平行于硅方棒的端面；所述硅方棒的端面平行于原硅棒的端面；
优选地，所述预定硅片厚度为120～220μm。
4.一种切割硅片的制备方法，其特征在于，所述方法为：将权利要求1或2所述基础硅片沿平行于所述基础硅片预定边的方向按照预定宽度进行切割；
所述基础硅片预定边为与基础硅片自然裂解方向平行的边。
5.一种切割电池片的制备方法，其特征在于，所述方法为：将权利要求1或2所述基础硅片制备成电池片后，沿平行于所述基础硅片预定边的方向按照预定宽度进行切割；
所述基础硅片预定边为与基础硅片自然裂解方向平行的边。
6.如权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(a)用激光沿预定位置在基础硅片或电池片上划线；
(b)给步骤(a)的硅片或电池片机械力，使步骤(a)的硅片沿步骤(a)的划线位置断裂，得到切割硅片或切割电池片。
7.如权利要求4～6之一所述的制备方法，其特征在于，所述预定宽度为基础硅片边长的1/2～1/6；
优选地，由同一片基础硅片切割得到的切割硅片的宽度相同。
8.一种切割硅片，其特征在于，所述切割硅片通过权利要求4、6或7所述的制备方法制备得到。
9.一种切割电池片，其特征在于，所述切割电池片通过权利要求5、6或7所述的制备方法制备得到。
10.一种太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池片包括权利要求8所述的切割硅片；或者权利要求9所述的切割电池片；
优选地，所述太阳能电池组件包括由权利要求9所述的切割电池片以半片或叠瓦形式组成。
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