[发明专利]用于制备切割硅片的基础硅片及制备方法和用途

说明书

本发明涉及一种用于制备切割硅片的基础硅片，所述基础硅片的表面为正方形或带倒角的正方形，所述基础硅片的自然裂解方向在基础硅片的表面的投影平行于所述基础硅片的一组相对边长，所述基础硅片为单晶硅片。本发明提供的制备切割硅片的基础硅片的自然裂解方向在基础硅片的表面的投影(110)平行于所述基础硅片的一组相对边长，在基础硅片制备切割硅片的时候，裂纹方向沿着平行于所述基础硅片边长的方向，能够减少破片率，且切片方向不变；减少了切割位置细小裂纹的产生，能够有效地降低组件的衰减，延长组件的使用寿命。

技术领域

本发明属于太阳能电池制备领域，尤其涉及一种用于制备切割硅片的基础硅片及制备方法和用途。

背景技术

为了提升太阳电池的组件功率，组件端引入了切片技术，即将电池切分为两份或多份，再用焊带串、并联。切片电池可减小组件的电流，从而减少串联电阻的损失。切片通常是用激光的高能量在电池片表面加热划线，再用机械沿划线方向将硅片掰开一分为二。在切片过程中，硅片可能产生微小的裂口，而这些小裂口在划片及之后的工序中，可能延着单晶硅的自然解理方向延伸，最终导致电池片碎裂。

本领域需要开发一种能够解决所述切片过程中产生微小裂口，或者产生电池片碎裂的技术问题的技术方案。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种用于制备切割硅片的基础硅片，所述基础硅片的表面为方形或带倒角的方形，所述基础硅片的自然裂解方向在基础硅片的表面的投影平行于所述基础硅片的一组相对边长，所述基础硅片为单晶硅片。

对于现有技术的单晶硅片为(100)晶向，四个倒角的指向为<110>方向。(111)面为单晶硅的解离面，这一方向在硅片上的投影为<110>方向，因而硅片在碎裂时通常是延倒角所在的对角线方向。由于裂解方向与切片方向成～45°，不在一个方向，切片时会产生更高的破片率(现有技术的单晶硅片的结构示意图如图1)。

本发明提供的制备切割硅片的基础硅片(本发明的基础硅片的结构示意图如图2)，其自然裂解方向在基础硅片的表面的投影(110)平行于所述基础硅片的一组相对边长，能够使得基础硅片在制备切割硅片的时候，裂纹方向沿着平行于所述基础硅片边长的方向，能够减少破片率，且切片方向不变。

优选地，所述基础硅片的厚度≤220μm，例如200μm、180μm、150μm、120μm、100μm、80μm、50μm等。

优选地，所述基础硅片的边长为156mm。

优选地，所述基础硅片的表面为正方形或带倒角的正方形。

本发明目的之二是提供一种如目的之一所述的基础硅片的制备方法，所述方法包括如下步骤：

(1)将硅棒切割得到硅方棒，切割过程保证，在硅棒横截面中，楞线所在点与对应的硅方棒所在方形的边长的中点的连线经过所述方形的对称中心；

(2)按照预定硅片厚度切割得到基础硅片。

图3给出了硅棒截面的结构示意图，1为楞线所在点，2为硅棒截面，3为硅方棒截面。

优选地，步骤(2)所述“按照预定硅片厚度切割得到基础硅片”的步骤中，其切割方向使得基础硅片的表面平行于原硅棒的端面；所述硅方棒的端面平行于原硅棒的端面。

优选地，所述预定硅片厚度为120～220μm。

本发明目的之三是提供一种切割硅片的制备方法，所述方法为：将目的之一所述基础硅片沿平行于所述基础硅片预定边的方向按照预定宽度进行切割；

所述基础硅片预定边为与基础硅片自然裂解方向平行的边。