[发明专利]电池片品质确定方法及装置有效
申请号: | 201711481405.1 | 申请日: | 2017-12-30 |
公开(公告)号: | CN108198767B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 吴坚;蒋方丹;邢国强;王栩生 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 品质 确定 方法 装置 | ||
1.一种电池片品质确定方法,其特征在于,包括:
根据所述电池片的转换效率,获取所述电池片的效率品质级别;
获取所述电池片的品质参数;所述品质参数包括所述电池片的短路电流、开路电压、串联电阻、以及并联电阻;
获取所述开路电压对所述电池片造成的基本填充因子损失;所述基本填充因子损失FF0为:
其中,q是电子的电量,n是太阳电池二极管理想因子,T是温度,Voc为开路电压,voc为归一化的开路电压;
根据所述基本填充因子损失,以及所述短路电流、开路电压和串联电阻,获取所述电池片的第一填充因子损失;所述第一填充因子损失ΔFF1为:
其中,Rs是所述电池片的串联电阻,Isc是所述电池片的短路电流;
根据所述基本填充因子损失,以及所述短路电流、开路电压和并联电阻,获取所述电池片的第二填充因子损失;所述第二填充因子损失ΔFF2为:
其中,Rsh是电池片并联电阻;
根据所述第一填充因子损失与第二填充因子损失之比,计算所述电池片的填充因子损失比;
根据所述效率品质级别和所述填充因子损失比,确定所述电池片的品质级别。
2.根据权利要求1所述的品质确定方法,其特征在于,在所述根据所述电池片的转换效率,获取所述电池片的效率品质级别之前,还包括:
根据所述电池片的转换效率,获取所述电池片转换效率的效率品质级别间隔。
3.根据权利要求1所述的品质确定方法,其特征在于,所述根据所述效率品质级别和所述填充因子损失比,确定所述电池片的品质级别,包括:
根据所述效率品质级别,判断所述电池片是否为低效电池片;
若是,则根据所述电池片的填充因子损失比,确定所述电池片的品质级别。
4.根据权利要求3所述的品质确定方法,其特征在于,所述根据所述电池片的填充因子损失比,确定所述电池片的品质级别,包括:
当所述填充因子损失比大于等于1时,确定所述电池片为高弱光响应电池片;
当所述填充因子损失比小于1时,确定所述电池片为低弱光响应电池片。
5.一种电池片品质确定装置,其特征在于,包括:
效率品质确定模块,用于根据所述电池片的转换效率,获取所述电池片的效率品质级别;
填充因子损失比计算模块,用于获取所述电池片的品质参数,计算所述电池片的填充因子损失比;所述品质参数包括所述电池片的短路电流、开路电压、串联电阻、以及并联电阻;
所述填充因子损失比计算模块包括基本填充因子损失获取单元、第一填充因子损失获取单元、第二填充因子损失获取单元和填充因子损失比计算单元;
所述基本填充因子损失获取单元,用于获取所述开路电压对所述电池片造成的基本填充因子损失;所述基本填充因子损失FF0为:
其中,q是电子的电量,n是太阳电池二极管理想因子,T是温度,Voc为开路电压,voc为归一化的开路电压;
所述第一填充因子损失获取单元,用于根据所述基本填充因子损失,以及所述短路电流、开路电压和串联电阻,获取所述电池片的第一填充因子损失;所述第一填充因子损失ΔFF1为:
其中,Rs是所述电池片的串联电阻,Isc是所述电池片的短路电流;
所述第二填充因子损失获取单元,用于根据所述基本填充因子损失,以及所述短路电流、开路电压和并联电阻,获取所述电池片的第二填充因子损失;所述第二填充因子损失ΔFF2为:
其中,Rsh是电池片并联电阻;
所述填充因子损失比计算单元,用于根据所述第一填充因子损失与第二填充因子损失之比,计算所述电池片的填充因子损失比;
品质级别确定模块,用于根据所述效率品质级别和所述填充因子损失比,确定所述电池片的品质级别。
6.根据权利要求5所述的品质确定装置,其特征在于,还包括:
级别间隔获取模块,用于在获取所述电池片的效率品质级别之前,根据所述电池片的转换效率,获取所述电池片转换效率的效率品质级别间隔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造