[发明专利]电池片品质确定方法及装置有效
申请号: | 201711481405.1 | 申请日: | 2017-12-30 |
公开(公告)号: | CN108198767B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 吴坚;蒋方丹;邢国强;王栩生 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 品质 确定 方法 装置 | ||
本发明实施例公开了一种电池片品质确定方法及装置,该方法通过根据电池片的转换效率,获得该电池片的效率品质级别,在根据电池片的品质参数,计算该电池片的填充因子损失比,最终由该电池片的效率品质级别和填充因子损失比,确定出该电池片的品质级别。本发明实施例提供的电池片品质确定方法及装置,通过对电池片确定电池片的转换效率后,再将转换效率相匹配的电池片按照其填充因子损失比进行划分,从而确定出电池片最终的品质级别,以使得采用相同品质级别的电池片制备的光伏组件之间具有相同的填充因子损失比,进而保证电池片之间的匹配关系,进一步提高采用该品质确定方法划分的电池片制备的光伏组件的弱光响应,并提升光伏组件发电能力。
技术领域
本发明实施例涉及数据处理技术领域,尤其涉及电池片品质确定方法及装置。
背景技术
在太阳电池运行过程中,短路电流Isc、开路电压Voc、填充因子FF是影响太阳电池转换效率最直接的三个电性能参数。其中,填充因子是太阳电池最大输出功率与短路电流Isc和开路电压Voc的乘积之比,因而填充因子越大,太阳电池的效率越高。
由于太阳电池运行时,其电极与硅片的接触表面产生的电阻、电池内部基片产生的电阻、以及扩散区的薄层电阻等与负载串联在同一回路上,而生成串联电阻Rs,且该串联电阻Rs对短路电流Isc具有重要影响;同时,由于太阳电池片存在漏电流,该漏电流与电池片的输出电流方向相反,由此抵消部分输出电流,使得输出电流降低,想当于电阻的分流作用,该分流电阻即为并联电阻Rsh,而并联电阻Rsh对填充因子具有直接的影响,即通常情况下,并联电阻较小时,能够显著降低太阳电池的填充因子。
当前,在太阳电池制程中,开路电压Voc通常比较稳定,而串联电阻Rs和并联电阻Rsh往往随制程波动比较大,由此将对填充因子FF具有较大的影响,进而影响太阳电池转换效率。但是现有的I-V曲线测试中,串联电阻Rs和并联电阻Rsh都是通过拟合计算得出的,两者之间互相影响,无法准确判断引起填充因子FF损失的主要因素。对于按照转换效率分档的电池片,会将不同填充因子FF失效类型的电池片混杂在一起,这些电池片串联形成光伏组件时,会造成电池之间的失配,造成光伏组件弱光响应下降,影响光伏组件的弱光响应,并影响光伏组件发电能力。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供电池片品质确定方法及装置,目的在于能够通过对太阳电池进行品质分档,提高光伏组件的弱光响应,并提升光伏组件发电能力,进而提高太阳电池的转换效率。
第一方面,本发明实施例提供了一种电池片品质确定方法,包括:
根据所述电池片的转换效率,获取所述电池片的效率品质级别;
获取所述电池片的品质参数,计算所述电池片的填充因子损失比;
根据所述效率品质级别和所述填充因子损失比,确定所述电池片的品质级别。
可选的,在所述根据所述电池片的转换效率,获取所述电池片的效率品质级别之前,还包括:
根据所述电池片的转换效率,获取所述电池片转换效率的效率品质级别间隔。
可选的,所述品质参数包括:所述电池片的短路电流、开路电压、串联电阻、以及并联电阻。
可选的,所述计算所述电池片的填充因子损失比,包括:
获取所述开路电压对所述电池片造成的基本填充因子损失;
根据所述基本填充因子损失,以及所述短路电流、开路电压和串联电阻,获取所述电池片的第一填充因子损失;
根据所述基本填充因子损失,以及所述短路电流、开路电压和并联电阻,获取所述电池片的第二填充因子损失;
根据所述第一填充因子损失与第二填充因子损失之比,计算所述电池片的填充因子损失比。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造