[发明专利]用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用在审
申请号: | 201711483863.9 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108004550A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 邓金全;李嘉;赵芬利 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23F1/44 | 分类号: | C23F1/44;C23F1/18;C23F1/26 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;吕颖 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 钼膜层 蚀刻 及其 应用 | ||
本发明属于液晶面板加工技术领域,尤其公开了一种用于铜/钼膜层的蚀刻液,其包括以下按质量百分数均匀混合的成分:0.1%~40%的氧化剂、0.1%~5%的无机酸、0.1%~30%的有机酸、0.001%~5%的蚀刻稳定剂以及0.1%~5%的螯合剂。根据本发明的蚀刻液是一种无氟蚀刻液,其对环境友好,不会造成玻璃等材料的基板及IGZO等特殊材料的损伤。另外,根据本发明的蚀刻液可调节铜/钼膜层的蚀刻速度,使其成为具有适当锥角的蚀刻轮廓,并控制相应的CD Loss下保证没有Mo残留,尤其适用于Mo层厚度较大的情况。本发明还提供了一种基于上述蚀刻液在液晶显示面板中的应用。
技术领域
本发明属于液晶显示面板加工技术领域,具体来讲,涉及一种液晶显示面板中用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用。
背景技术
随着液晶显示面板尺寸的增大,其中栅极及数据金属配线通常使用铜金属,与以往技术中的铝铬配线相比,铜可以将线宽做的更低,更加适合高分辨率面板的制作;但是,铜与玻璃基板及绝缘膜的贴附性较低,易扩散进入有源层等问题,所以通常使用钼等作为铜的下部薄膜金属。
液晶显示面板中铜制程图案的形成方式一般为:首先,在基板上通过PVD形成铜/钼薄膜,钼的作用为增加铜与基板的贴附性,阻挡铜向基板的扩散;然后,通过光刻胶形成图案;其中,去除不需要部分的铜/钼薄膜需要通过蚀刻液来完成。
然而,传统的铜/钼蚀刻液普遍含氟,对环境与器件都会产生负面影响;而且其蚀刻效率低,稳定性差;虽然目前发展了全新的无氟铜/钼蚀刻液可以避免上述问题,但目前一般的无氟铜/钼蚀刻液却存在刻蚀能力较低的问题,当遇到钼层厚度较大的情况时,容易出现钼残的问题,如图1和图2所示。
发明内容
为解决上述现有技术存在的问题,本发明提供了一种用于铜/钼膜层的蚀刻液,该蚀刻液为无氟蚀刻液,该刻蚀液可以控制相应的CD Loss(即腐蚀对条宽的影响)下保证没有Mo残留,尤其适用于Mo层厚度较大的情况。
为了达到上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种用于铜/钼膜层的蚀刻液,包括均匀混合的氧化剂、无机酸、有机酸、蚀刻稳定剂以及螯合剂;
其中,在所述蚀刻液中,所述氧化剂的质量百分数为0.1%~40%,所述无机酸的质量百分数为0.1%~5%,所述有机酸的质量百分数为0.1%~30%,所述蚀刻稳定剂的质量百分数为0.001%~5%,所述螯合剂的质量百分数为0.1%~5%。
进一步地,所述氧化剂为氧化性酸和/或所述氧化性酸的水溶性盐。
进一步地,所述氧化剂选自过氧化氢、次氯酸、高氯酸、高锰酸、过硫酸、过氧乙酸中的至少一种。
进一步地,所述水溶性盐选自钠盐、钾盐、钙盐、铵盐中的至少一种。
进一步地,所述无机酸选自硫酸、盐酸、磷酸中的至少一种;所述有机酸选自甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、柠檬酸、苹果酸、乙醇酸、草酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸中的至少一种。
进一步地,所述蚀刻稳定剂为咪唑啉季铵盐和/或疏基苯并三氮唑。
进一步地,所述螯合剂选自亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、乙二胺四甲撑磷酸、二亚乙基三胺五亚甲基磷酸、肌氨酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸及甘氨酸中的至少一种。
进一步地,所述蚀刻液的pH为3.5~5.5。
本发明的另一目的在于提供一种如上任一所述的蚀刻液在液晶显示面板中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711483863.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。