[发明专利]一种硅片的确定方法及装置

权利要求书

1.一种硅片的确定方法，其特征在于，包括：

获取各个硅片的各个位置编码与各个所述硅片制备的电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与各个所述硅片电阻率的对应关系；

根据各个所述位置编码与所述光衰值、以及各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系，获取所述电阻率与所述光衰值的对应关系；

根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片；其中，根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片，包括：

根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，获取所述光衰值小于光衰预设阈值时所述硅片的电阻率阈值范围；

当所述硅片的电阻率在所述电阻率阈值范围内时，确定所述硅片制备的所述电池片为低光衰电池片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取各个硅片的位置编码与各个所述硅片制备的电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与各个所述硅片电阻率的对应关系，包括：

根据不同位置编码取样的所述硅片制备的电池片的光衰测试结果，获取所述电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与所述光衰值的对应关系；

根据不同位置编码的所述硅片电阻率的测试结果，获取各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述位置编码包括所述硅片在硅棒上的第一位置编码和所述硅棒在硅锭上的第二位置编码。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据不同位置编码取样的硅片制备的电池片的光衰测试结果，获取所述电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与所述光衰值的对应关系，包括：

根据所述第一位置编码和所述第二位置编码，获取各个所述硅片的各个位置编码；

获取各个所述位置编码的各个所述硅片制备的电池片的光衰测试结果；

根据所述光衰测试结果，获取所述硅片的位置编码与所述光衰值的对应关系。

5.一种硅片的确定装置，其特征在于，包括：

对应关系获取模块，用于获取各个硅片的各个位置编码与各个所述硅片制备的电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与各个所述硅片电阻率的对应关系；

对应关系确定模块，用于根据各个所述位置编码与所述光衰值、以及各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系，获取所述电阻率与所述光衰值的对应关系；

低光衰片确定模块，用于根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片；其中，所述低光衰片确定模块包括：

电阻率获取单元，用于根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，获取所述光衰值小于光衰预设阈值时所述硅片的电阻率阈值范围；

低光衰片确定单元，用于当所述硅片的电阻率在所述电阻率阈值范围内时，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片。

6.根权利要求5所述的装置，其特征在于，所述对应关系获取模块包括：

光衰对应关系获取单元，用于根据不同位置编码取样的所述硅片制备的电池片的光衰测试结果，获取所述电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与所述光衰值的对应关系；

电阻率对应关系获取单元，用于根据不同位置编码的所述硅片电阻率的测试结果，获取各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述位置编码包括所述硅片在硅棒上的第一位置编码和所述硅棒在硅锭上的第二位置编码。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述光衰对应关系获取单元包括：

位置编码获取子单元，用于根据所述第一位置编码和所述第二位置编码，获取各个所述硅片的各个位置编码；

光衰结果获取子单元，用于获取各个所述位置编码对应的各个所述硅片制备的电池片的光衰测试结果；

光衰对应关系获取子单元，用于根据所述光衰测试结果，获取所述硅片的位置编码与所述光衰值的对应关系。