[发明专利]一种硅片的确定方法及装置

说明书

本发明公开了一种硅片的确定方法及装置，该方法根据各个硅片的各个位置编码与硅片制备的电池片的光衰值、以及各个位置编码与硅片电阻率的对应关系，获得电阻率与光衰值的对应关系，并由电阻率与光衰值的对应关系，确定出硅片制备的电池片为光衰较低的电池片。从而能够降低硅片之间的差异，减少电池片的光衰波动，扩大工艺窗口，进而提高电池片的产能和良率，降低电池片的成本。

技术领域

本发明实施例涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种硅片的确定方法及装置。

背景技术

太阳电池是利用半导体PN结的光电效应产生电能，是一种可持续的清洁能源。其可分为硅基太阳电池、III-V族太阳电池等，其中，晶硅太阳电池是当前产业化中应用最广泛的一种太阳电池，例如其可应用于并网发电、离网发电、商业应用等领域。

当前，晶硅太阳电池中多晶硅太阳电池由于具有单产产量大、成本低、纯度要求低等优点而迅速发展，与单晶硅太阳电池相比具有平等的市场份额占有量。但是，由于其内部存在大量晶界、较高的位错密度和杂质浓度，致使其转换效率较低。为使得多晶硅太阳电池的效率提高与其制备成本相匹配，多采用局部接触背钝化(PERC)技术作为晶硅太阳电池的制备方法。该制备方法通过采用SiO₂/SiNx或Al₂O₃/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,依次经过背面开槽、丝网印刷、烧结形成背面局部接触,制备钝化发射极和背表面电池(PERC)结构多晶硅太阳电池，该电池结构的正面和背面同时进行了表面钝化，此时晶体硅体材料的复合就成为制约太阳能电池光电转换效率的关键性因素。

然而在P型晶体硅中，由于光照或电流注入导致硅片中硼和氧形成的硼氧复合体，使得少子寿命降低，使其输出功率光衰，从而产生光衰作用(LID)。除了硼氧复合之外，还有其它仍不明朗的原因，但普遍认为与体复合有关，即硅材料对光衰影响非常大。现有的光衰的抑制主要通过引入退火设备来实现，这种方案能够对光衰有很好的抑制作用，但不同硅片因品质的差异造成光衰的稳定性较差。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种硅片的确定方法及装置，能够根据硅片及其对应电池片的测试结果，确定出具有低光衰特性的硅片，以获得稳定的电池片光衰差异，减少太阳电池的光衰波动。

第一方面，本发明实施例提供了一种硅片的确定方法，包括：

获取各个硅片的各个位置编码与各个所述硅片制备的电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与各个所述硅片电阻率的对应关系；

根据各个所述位置编码与所述光衰值、以及各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系，获取所述电阻率与所述光衰值的对应关系；

根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片。

可选的，所述获取各个硅片的位置编码与各个所述硅片制备的电池片对应的光衰值、以及各个所述位置编码与各个所述硅片电阻率的对应关系，包括：

根据不同位置编码取样的所述硅片制备的电池片的光衰测试结果，获取所述电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与所述光衰值的对应关系；

根据不同位置编码的所述硅片电阻率的测试结果，获取各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系。

可选的，所述位置编码包括所述硅片在硅棒上的第一位置编码和所述硅棒在所述硅锭上的第二位置编码。

可选的，所述根据不同位置编码取样的硅片制备的电池片的光衰测试结果，获取所述电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与所述光衰值的对应关系，包括：

根据所述第一位置编码和所述第二位置编码，获取各个所述硅片的位置编码；

获取各个所述位置编码的各个所述硅片制备的电池片的光衰测试结果；