[发明专利]一种减反射镀膜玻璃和制备方法

权利要求书

1.一种减反射镀膜玻璃，其特征在于，包括：玻璃基片(B)以及由所述玻璃基片(B)的其中一个表面依次设置的高折射率过渡层(T)、第一高折射率层(H1)、第一低折射率层(L1)、第二高折射率层(H2)以及第二低折射率层(L2)；

所述高折射率过渡层(T)由氮化硅、氧化锌、氧化锌铝以及氧化锌锡中的一种组成；所述高折射率过渡层(T)还可以由第一子高折射率过渡层(T1)以及第二子高折射率过渡层(T2)组成，其中，所述第一子高折射率过渡层(T1)为二氧化硅，所述第二子高折射率过渡层(T2)为氮化硅；所述第一高折射率层(H1)为氧化钛；所述第一低折射率层(L1)为二氧化硅；所述第二高折射率层(H2)为氧化钛；所述第二低折射率层(L2)为二氧化硅；所述第二低折射率层(L2)还可以由第一低折射率子层(L21)以及第二低折射率子层(L22)组成；所述第一低折射率子层(L21)为氮化硅、氧化锌、氧化锌铝或者氧化锌锡中的一种，所述第二低折射率子层(L22)为二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述高折射率过渡层(T)的折射率为1.45至2.10之间，并且其总厚度为20至40nm之间。

3.根据权利要求1所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一高折射率层(H1)的折射率为2.45至2.65之间，并且其总厚度为6至20nm之间。

4.根据权利要求1所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一低折射率层(L1)的折射率为1.45至1.60之间，并且其总厚度为25至50nm之间。

5.根据权利要求1所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述第二高折射率层(H2)的折射率为2.45至2.62之间，并且其总厚度为20至30nm之间或者80-100nm之间。

6.根据权利要求1所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述第二低折射率层(L2)的折射率为1.45至2.10之间，并且其总厚度为80-110nm之间。

7.一种如权利要求1至6所述的减反射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤A：将玻璃基片(B)放置于磁控溅射镀膜设备的腔体内，使玻璃基片(B)于真空环境下保持匀速前进；

步骤B：向磁控溅射镀膜设备的腔体内供入由氮气和氩气组成的第一混合气体或由氧气和氩气组成的第二混合气体，并且由中频交流磁控溅射电源将硅靶材、氧化锌靶材、氧化锌铝靶材或者氧化锌锡靶材溅射至平板玻璃的表面，形成高折射率过渡层(T)；

步骤C：向磁控溅射镀膜设备的腔体内供入由氧气和氩气组成的第二混合气体，并且由中频交流磁控溅射电源将氧化钛靶材溅射至高折射率过渡层(T)上，形成第一高折射率层(H1)；

步骤D：向磁控溅射镀膜设备的腔体内供入由氧气氩气组成的第二混合气体，并且由中频交流磁控溅射电源将硅靶材溅射至第一高折射层上，形成第一低折射率层(L1)；

步骤E：向磁控溅射镀膜设备的腔体内供入由氧气和氩气组成的第二混合气体，并且由中频交流磁控溅射电源将氧化钛靶材溅射至第一高折射层上，形成第二高折射率层(H2)；

步骤F：向磁控溅射镀膜设备的腔体内供入由氮气和氩气组成的第一混合气体或由氧气和氩气组成的第二混合气体，并且由中频交流磁控溅射电源将二氧化硅靶材、氧化锌靶材、氧化锌铝靶材以及氧化锌锡靶材溅射至第二高折射层上，形成第二低折射率层(L2)。

8.根据权利要求7所述的减反射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，其特征在于，其在步骤F之后还包括如下步骤：

步骤G：将步骤F中最终得到的减反射镀膜玻璃进行切割、清洗、磨边，最终得到规定尺寸的减反射镀膜玻璃；

步骤H：通过钢化炉对将步骤2中符合规定尺寸的减反射镀膜玻璃进行加热钢化；

步骤I：对步骤3中钢化后的减反射镀膜玻璃进行风冷处理。