[发明专利]一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法

权利要求书

1.一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一. 装片：选取被封装芯片（3），将被封装芯片（3）装到引线框架（1）内；

所述步骤一中装片的具体过程为：

a. 升温过程：引线框架（1）匀速进入自动装片机轨道，经过4段阶梯升温区，到达点锡区，温度升至焊料熔融温度370度；

b. 通过步进电机控制XY平台移动，使引线框架（1）移动到点锡器下方，利用多点点锡技术，控制点锡器在引线框架（1）上点五滴焊料；

c. 继续运送到达整型区，对焊料进行压模整型，形成焊料层（2）；

d. 继续运送到达粘片区，采用焊接头上的橡胶吸嘴（4）吸取被封装芯片（3），利用多点装片拔高技术，将被封装芯片（3）通过焊料层（2）焊接到引线框架（1）上；

所述多点装片拔高技术，具体为：

（1）焊接头带动被封装芯片（3）快速到达焊料层（2）表面上方45~55微米处；

（2）以垂直与焊料层（2）表面的方向，继续慢速带动被封装芯片（3）下压到焊料层（2）表面；

（3）带动被封装芯片（3）继续下压到焊料层（2）表面下方18~22微米处；

（4）在设定的2ms内，焊接头快速带动被封装芯片（3）垂直向上拔高18~22微米，到达焊料层（2）表面；

（4）橡胶吸嘴（4）关闭真空，释放被封装芯片（3）；

e. 继续运送到达降温区，进行阶梯降温，然后出料；

步骤二. 键合：采用全自动超声键合，通过键合引线将芯片电极与引线框架（1）的引线脚焊接；

步骤三. 塑封：采用高导热性能环氧树脂塑封模具，将被封装芯片（3）上方包封起来，露出引线脚；

步骤四. 后固化，将塑封后的芯片放入恒温烘箱内进行固化；

步骤五. 去溢料；采用软化液进行飞边软化，然后在全自动高压喷淋设备中去除溢料；软化液进行飞边软化过程中的温度设定为110℃±5℃，所述全自动高压喷淋设备的压力设定为11-12Mpa；

步骤六. 电镀锡：在引线框架（1）表面电镀一层锡；

步骤七. 切筋：采用两次分段式切筋，将若干个连在一起的引线框架（1）分隔开；

步骤八. 测试后包装出库。

2.根据权利要求1所述的一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法，其特征在于，在整个装片运送过程中，运送轨道中通入氢气和氮气混合保护气体，通过调压阀控制通入的氢气和氮气压力均为0.2Mpa，通过流量计控制通入氢气流量为1L/min，氮气流量为8L/min。

3.根据权利要求1所述的一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法，其特征在于，所述步骤二中，所述键合引线采用纯铝丝，所述纯铝丝与芯片电极的焊接功率设定为540mW，焊接压力设定220g，焊接时间为120ms；所述纯铝丝与引线脚焊接功率设定为650mW，焊接压力设定为320g，焊接时间为120ms。

4.根据权利要求1所述的一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法，其特征在于，步骤三中，所述塑封过程中温度控制在175℃±5℃。

5.根据权利要求1所述的一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法，其特征在于，步骤四中，所述固化过程中固化时间设定为6小时，固化温度设定为165℃±5℃，且固化后高温储存24h，存储的温度设定为150℃±5℃。

6.根据权利要求1所述的一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法，其特征在于，步骤六中，所述电镀锡层的厚度不小于7 微米，且电镀的温度设定为8-10℃，电镀的时间设定为7-9分钟。