[发明专利]高能效轮毂型镍基刀片及其制备方法有效
申请号: | 201711492487.X | 申请日: | 2017-12-30 |
公开(公告)号: | CN108300983B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 陈昱;刘学民;王丽萍;李威;冉隆光 | 申请(专利权)人: | 苏州赛尔科技有限公司 |
主分类号: | C23C18/32 | 分类号: | C23C18/32;C23C18/18;B28D5/02 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙周强 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能效 轮毂 型镍基 刀片 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了高能效轮毂型镍基刀片及其制备方法,将刀片基底依次经过常温碱蚀、常温酸蚀、沉锌处理后,再经过化学镀镍,得到高能效轮毂型镍基刀片;制备的产品可用于超薄(10~20μm)及高转速切割(50000rad/min),避免出现脱落及断刀现象。
技术领域
本发明属于削切工具技术,具体涉及高能效轮毂型镍基刀片及其制备方法。
背景技术
半导体是许多工业整机设备的核心,普遍应用于计算机、通信、消费电子、汽车、工业/医疗、军事/政府等核心领域。全球半导体行业规模 1994 年突破1000 亿美元,2000 年突破 2000 亿美元,2010 年将近 3000 亿美元,2015 年达到 3363 亿美元,全球半导体行业已形成庞大产业规模。2001-2016 年间,国内集成电路市场规模由 1260亿元增加至约12000亿元,占全球市场 份额的将近 60%。产业销售额扩大超过23倍,由188亿元扩大至4336亿元。2001-2016年间,我国集成电路产业与市场复合增长率分别为38.4%和15.1%。2001-2016年我国集成电路封装、制造、设计齐 头并进,年均复合增长率分别为36.9%、28.2%和16.4%。其中设计业和制造业占比不断提升,推动集成电路产业结构趋于优化。
随着半导体市场的持续突破,半导体产品向着超薄超精方向发展,因此对于加工半导体材料的划片刀的规格及品质也提出了更高的要求,目前市场上轮毂型镍基刀片普遍采用二次沉锌工艺进行电镀前处理以增加铝合金基体与镀层的结合力,该工艺可用于常规轮毂型镍基划片刀的切割加工,但对于超薄(10~20μm)及高转速切割(50000rad/min)会出现脱落及断刀现象,因此需要针对该问题研发新的合理可行的解决方案。
发明内容
本发明公开了一种高能效轮毂型镍基刀片及其制备方法,制备的产品可用于超薄(10~20μm)及高转速切割(50000rad/min),避免出现脱落及断刀现象。
本发明采用如下技术方案:
一种高能效轮毂型镍基刀片的制备方法,包括以下步骤,将刀片基底依次经过常温碱蚀、常温酸蚀、沉锌处理后,再经过化学镀镍,得到高能效轮毂型镍基刀片。
本发明中,刀片基底为现有产品,简单来讲为在铝合金基体上电镀一层含有金刚石的镀层,并通过化学出刃方法漏出镀层形成超薄切割刀片。
本发明创造性的使用化学镀镍,进一步增加铝合金及镍层结合力,不仅可以制备超薄(10~20μm)的产品,而且高转速切割(50000rad/min)不会出现脱落及断刀现象,解决了现有技术认为化学镀镍不适用沉锌后镀镍的偏见,取得了意想不到的技术效果。
优选的,化学镀镍时,镀液的组成如下:
NiSO4·6H2O 21g/L
(CH3)2NHBH3 38.5g/ L
二乙烯三胺五甲叉膦酸钠0. 08 mol /L
氯化铵50 g/ L
十二烷基硫酸钠20 mg /L
苯并三氮唑 35 mg /L
其余为水。
本发明的镀液pH =9.0~10.5,有效避免锌层在化学镀时的部分溶解问题,切实提供强有力的镀镍界面效应。
本发明中,常温碱蚀的时间为2min;常温酸蚀的时间为1min;沉锌处理的时间为2min,温度为35℃;化学镀镍的时间为5min,温度为50℃。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理