[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711498511.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108172630A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 章仟益 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 袁江龙 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源图案 图案层 还原 薄膜晶体管 栅极绝缘层 栅极图案层 还原材料 制备 半导体材料 半导体氧化物 能级 沉积氧化物 还原性材料 漏极图案层 表面形成 衬底基板 电子积累 电子跃迁 沟道表面 源极图案 迁移率 沉积 沟道 弱氧 覆盖 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成栅极图案层；
形成覆盖所述栅极图案层的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沉积氧化物半导体材料以形成有源图案层；
在所述有源图案层上沉积还原性材料以形成还原图案层；
在所述还原图案层上形成源极图案层及漏极图案层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原性材料为钾或钙。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述有源图案层上沉积还原性材料以形成还原图案层包括：
在所述有源图案层上通过热蒸发沉积所述还原性材料以形成所述还原图案层；
对所述还原图案层进行退火处理。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述热蒸发的时间为60～150min，所述热蒸发的温度为200～400℃，所述热蒸发的气体为氮气或氧气。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上形成有源层包括：
在所述栅极绝缘层上沉积氧化物半导体材料以形成半导体图案层，所述半导体图案层包括第一子半导体图案层及在所述第一子半导体图案层相对的两侧与所述第一子半导体图案层相邻的两个第二子半导体图案层；
对所述半导体图案层进行退火处理，以使得所述两个第二子半导体图案层具有导体特性。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述有源图案层上通过热蒸发沉积所述还原性材料以形成所述还原图案层包括：
在所述有源图案层上通过热蒸发沉积所述还原性材料以形成还原层；
对所述还原层进行图案化处理以形成所述还原图案层，所述还原图案层包括分别与所述两个第二子半导体图案层对应设置的两个子还原图案层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述还原图案层上形成源极图案层及漏极图案层包括：
在所述还原图案层上沉积金属材料以形成导电层；
对所述导电层图案化处理以形成分别与所述两个子还原图案层对应设置的源极图案层及漏极图案层。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述子还原图案层与所述第二子半导体图案层的面积比为1/2～3/4。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
在衬底基板上形成的栅极图案层；
覆盖所述栅极图案层的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成的有源图案层；
在所述有源图案层上形成的还原图案层；
在所述还原图案层上形成的源极图案层及漏极图案层。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述还原图案层的材料为钾或钙。
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