[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括在衬底基板上形成栅极图案层；形成覆盖栅极图案层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积氧化物半导体材料以形成有源图案层；在有源图案层上沉积还原性材料以形成还原图案层；在还原图案层上形成源极图案层及漏极图案层。通过这种方法使得还原图案层中的还原材料与半导体氧化物形成的有源图案层的背沟道表面的弱氧键结合，且还原材料内部电子跃迁至有源图案层表面形成电子积累层，从而降低有源图案层背沟道的能级缺陷，提高迁移率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

与非晶硅相比，IGZO(铟镓锌氧化物)因其高迁移率和沉积温度低等优势受到广泛关注，在背沟道蚀刻型的薄膜晶体管结构中，通常使用钼或者钼钛合金等金属作为阻挡层材料，该阻挡层设置于IGZO形成的有源图案层及源、漏极图案层之间，但是在蚀刻过程中，会存在钼残留且需要使用环境污染性强的含氟铜酸，同时IGZO背沟道与金属接触界面会有大量弱氧键或者氧空位存在的能级缺陷，会影响背沟道载流子数量、运动轨迹及迁移率。

发明内容

本发明主要是提供一种薄膜晶体管及其制备方法，旨在解决半导体氧化物的弱氧键或氧空位影响背沟道载流子数量、运动轨迹及迁移率的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：在衬底基板上形成栅极图案层；形成覆盖所述栅极图案层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上沉积氧化物半导体材料以形成有源图案层；在所述有源图案层上沉积还原性材料以形成还原图案层；在所述还原图案层上形成源极图案层及漏极图案层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在衬底基板上形成的栅极图案层；覆盖所述栅极图案层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的有源图案层；在所述有源图案层上形成的还原图案层；在所述还原图案层上形成的源极图案层及漏极图案层。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在衬底基板上形成栅极图案层；形成覆盖栅极图案层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积氧化物半导体材料以形成有源图案层；在有源图案层上沉积还原性材料以形成还原图案层；在还原图案层上形成源极图案层及漏极图案层的方法，使得还原图案层中的还原材料与半导体氧化物形成的有源图案层的背沟道表面的弱氧键结合，且还原材料内部电子跃迁至有源图案层表面形成电子积累层，从而降低有源图案层背沟道的能级缺陷，提高迁移率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本发明提供的薄膜晶体管的制备方法实施例的流程示意图；

图2是本发明提供的薄膜晶体管实施例的结构示意图；

图3是图1中步骤S13的具体流程示意图；

图4是图1中步骤S14的具体流程示意图；

图5是图4中步骤S141的具体流程示意图；

图6是图1中步骤S15的具体流程示意图；

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。