[发明专利]磁环境中的物理设计有效
申请号: | 201711499017.6 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108269799B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 阿龙·J·卡菲;布里安·G·德罗斯特 | 申请(专利权)人: | 硅谷实验室公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H10N97/00;H01L23/552;H01L21/70 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴晓兵 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环境 中的 物理 设计 | ||
1.一种集成电路,包括:
电感器,具有通过所述电感器的中心的第一轴和通过所述电感器的中心的第二轴,所述第一轴为所述电感器的一个或多个节点轴中的第一节点轴,所述第一轴包括第一磁节点的第一位置,所述第一磁节点具有在距离所述电感器的中心一定距离的第一可忽略的感应电压幅度;以及所述第二轴为第一反节点轴,所述第二轴包括第一可忽略的磁通量密度场的第二位置和在距离所述电感器的中心一定距离的第一感应电压幅度,所述第一感应电压幅度大于所述第一可忽略的感应电压幅度;以及
围绕所述第一轴聚集并且远离所述第二轴的第一簇集成电路端子,
其中,所述集成电路的所有集成电路端子围绕所述电感器的所述一个或多个节点轴聚集。
2.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一可忽略的感应电压幅度为距离所述电感器的中心的一定距离的最小感应电压幅度,而所述第一感应电压幅度为距离所述电感器的中心的一定距离的最大感应电压幅度。
3.如权利要求1所述的集成电路,还包括:
导电结构,其具有孔,所述孔至少与所述电感器一样大,所述孔位于所述电感器的突起表面的中心,所述导电结构配置成AC接地平面。
4.如权利要求1所述的集成电路,还包括:
围绕所述第一轴聚集并且远离所述第二轴的第二簇集成电路端子,所述第一簇集成电路端子和所述第二簇集成电路端子设置在所述电感器的相对端部并且与所述第二轴等距。
5.如权利要求3所述的集成电路,其中,所述孔基本上平行于所述电感器中的电流平面。
6.如权利要求3所述的集成电路,其中,所述导电结构包括:
耦合到不同电压电势的交替的导线,所述交替的导线形成电磁屏蔽结构。
7.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述电感器包括至少四个导电环,以及所述电感器具有通过所述电感器的中心的第三轴和通过所述电感器的中心的第四轴,所述第三轴为所述电感器的所述一个或多个节点轴中的第二节点轴,所述第三轴包括第二磁节点的第三位置,所述第二磁节点具有在距离所述电感器的中心一定距离的第二可忽略的感应电压幅度,以及所述第四轴为第二反节点轴,所述第四轴包括第二可忽略的磁通量密度场的第四位置和在距离所述电感器的中心一定距离的第二感应电压幅度,所述第二感应电压幅度大于所述第二可忽略的感应电压幅度,以及所述集成电路还包括围绕所述第三轴聚集并且远离所述第二轴和所述第四轴的第二簇集成电路端子。
8.如权利要求7所述的集成电路,其中,所述第一簇集成电路端子设置在集成电路部分的第一拐角,而所述第二簇集成电路端子设置在所述集成电路部分的与所述第一拐角相对的第二拐角处,所述第一簇集成电路端子包括一个或多个被配置成容纳高电压水平的电源端子,而所述第二簇集成电路端子包括一个或多个被配置成容纳低电压水平的电源端子。
9.如权利要求1、2、3、4、7或8所述的集成电路,其中,所述所有集成电路端子为集成电路接合垫并且所述电感器位于集成电路模具上的中央位置。
10.如权利要求1、2、3、4、7或8所述的集成电路,还包括:
平行于所述第一轴路由的导电迹线。
11.如权利要求1、2、3、4、7或8所述的集成电路,其中,所述第一簇集成电路端子包括至少一个与射频信号相关的端子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的