[实用新型]一种像素电极、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201720005767.2 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN206301126U | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 曹可;操彬彬;杨成绍;韩领 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 周娟 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 电极 阵列 显示装置 | ||
1.一种像素电极,其特征在于,包括第一电极组和第二电极组;所述第一电极组包括间隔设置的多个第一弧形电极,所述第二电极组包括间隔设置的多个第二弧形电极;每个所述第一弧形电极的弧内缘与每个所述第二弧形电极的弧内缘朝向相反。
2.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,多个所述第一弧形电极的弧内缘朝向相同,多个所述第二弧形电极的弧内缘朝向相同。
3.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,每个所述第一弧形电极和第二弧形电极均包括依次相连的第一弧段、过渡弧段和第二弧段;所述过渡弧段的弧内缘和/或所述过渡弧段的弧外缘开设有用于使第一弧段和第二弧段产生的电场连续变化的过渡凹槽;所述过渡凹槽的槽口面积大于所述过渡凹槽的槽底面积。
4.根据权利要求3所述的像素电极,其特征在于,所述过渡凹槽的槽底结构和所述过渡凹槽的槽壁结构均为平面结构,所述槽壁结构的平面与所述槽底结构的平面所形成的夹角为钝角。
5.根据权利要求3所述的像素电极,其特征在于,所述过渡凹槽的槽底结构为平面结构,所述过渡凹槽的槽壁结构为弧面结构;所述槽底结构的平面与所述槽壁结构的弧面相切,所述槽壁结构的弧面分别与第一弧段和第二弧段外接。
6.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,每个所述第一弧形电极和第二弧形电极均包括依次相连的第一弧段、直线段和第二弧段。
7.根据权利要求3~6中任一项所述的像素电极,其特征在于,所述第一弧段的弧长和所述第二弧段的弧长相同。
8.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1~7中任一项所述像素电极。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求8所述阵列基板。
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