[实用新型]一种像素电极、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201720005767.2 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN206301126U | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 曹可;操彬彬;杨成绍;韩领 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 周娟 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 电极 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素电极、阵列基板及显示装置。
背景技术
高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch,缩写为ADS)型显示屏是一种宽视角显示器,其能够满足大尺寸显示器对视角宽度的要求。
以双畴像素电极结构的ADS型显示屏为例,请参阅图1和图2,该ADS显示屏中的双畴像素电极包括多个结构相同的电极组01,每个电极组01包括连接在一起的第一直线电极011和第二直线电极012,第一直线电极011所在直线和第二直线电极012所在直线具有夹角,使得第一直线电极011与公共电极所形成的电力线方向为箭头a所示的逆时针方向,第二直线电极012与公共电极所形成的电力线方向为箭头b所示的顺时针方向,且在第一直线电极011与第二直线电极012的转折处的电力线方向会由逆时针方向瞬间突变为顺时针方向,使双畴像素电极在该转折处所对应的液晶发生反转,导致ADS型显示屏出现印痕02。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种像素电极、阵列基板及显示装置,使像素电极具有多个角度的畴区,从而提高显示装置的视角宽度,并减少显示装置中液晶反转问题的发生,以降低显示装置中出现显示印痕的机率。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种像素电极,包括第一电极组和第二电极组;所述第一电极组包括间隔设置的多个第一弧形电极,所述第二电极组包括间隔设置的多个第二弧形电极;每个所述第一弧形电极的弧内缘与每个所述第二弧形电极的弧内缘朝向相反。
优选的,多个所述第一弧形电极的弧内缘朝向相同,多个所述第二弧形电极的弧内缘朝向相同。
优选的,每个所述第一弧形电极和第二弧形电极均包括依次相连的第一弧段、过渡弧段和第二弧段;所述过渡弧段的弧内缘和/或所述过渡弧段的弧外缘开设有用于使第一弧段和第二弧段产生的电场连续变化的过渡凹槽;所述过渡凹槽的槽口面积大于所述过渡凹槽的槽底面积。
进一步,所述过渡凹槽的槽底结构和所述过渡凹槽的槽壁结构均为平面结构,所述槽壁结构的平面与所述槽底结构的平面所形成的夹角为钝角。
进一步,所述过渡凹槽的槽底结构为平面结构,所述过渡凹槽的槽壁结构为弧面结构;所述槽底结构的平面与所述槽壁结构的弧面相切,所述槽壁结构的弧面分别与第一弧段和第二弧段外接。
优选的,每个所述第一弧形电极和第二弧形电极均包括依次相连的第一弧段、直线段和第二弧段。
进一步,所述第一弧段的弧长和所述第二弧段的弧长相同。
与现有技术相比,本实用新型提供的像素电极具有如下有益效果:
本实用新型提供的像素电极中,由于像素电极包括第一电极组和第二电极组,并限定第一电极组中的多个第一弧形电极的弧内缘与第二电极组中的多个第二弧形电极的弧内缘朝向相反,使得像素电极具有多个角度的畴区,以提高显示装置的视角;而且,由于第一电极组包括多个间隔设置的第一弧形电极,第二电极组包括多个间隔设置的第二弧形电极,使得像素电极中的每个电极的形状均为过渡比较圆滑的弧形,因此,本实用新型提供的像素电极在显示装置的阵列基板中,每个弧形电极与公共电极所形成的电力线的方向连续变化,这样就能减小显示装置中的液晶反转所造成的印痕现象,使显示装置出现显示印痕的机率大大降低;而且,每个弧形电极过渡均匀,使得每个弧形电极的弧形部分所提供方向连续变化的电场,保证显示装置在各个视角下都能够均匀显示;可见,本实用新型提供的像素电极不仅能够使得显示装置具有较大的显示视角,而且还可以降低显示装置出现显示印痕的机率。
本实用新型还提供了一种阵列基板,包括上述技术方案提供的像素电极。
与现有技术相比,本实用新型提供的阵列基板的有益效果与上述技术方案提供的像素电极的有益效果相同,在此不做赘述。
本实用新型还提供了一种显示装置,包括上述技术方案提供的所述阵列基板。
与现有技术相比,本实用新型提供的显示装置的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板的有益效果相同,在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为现有技术中双畴像素电极的电场分布示意图;
图2为现有技术中双畴像素电极形成印痕的原理示意图;
图3为本实用新型实施例一提供的像素电极的结构示意图;
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