[实用新型]一种用于预付费电表断路器的控制电路

权利要求书

1.一种用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：包括电源电路(1)，电表信号检测电路(2)，延时开关电路(4)和脱扣电路(3)；电源电路(1)的输入端与外接电源连接，电源电路(1)的输出端与脱扣电路(3)的输入端和延时开关电路(4)的输入端连接，电源电路(1)为后续电路提供电源；所述电表信号检测电路(2)的输入端分别与电表信号输入端S和电源N相连接；电表信号检测电路(2)的输出端与延时开关电路(4)的输入端连接；延时开关电路(4)的输出端与脱扣电路(3)的输入端连接，延时开关电路(4)为脱扣电路提供一定的保持电流；

还包括电源电压检测电路(5)，所述电源电压检测电路(5)的输入端与电表信号检测电路(2)的输出端连接，电源电压检测电路(5)的输出端与延时开关电路(4)的输入端连接，电源电压检测电路(5)在电源电压欠压时，切断电表信号检测电路(2)与延时开关电路(4)的电路连接。

2.根据权利要求1所述的用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：所述电源电压检测电路(5)包括三极管Q2和电阻R7；电阻R7的两端并联连接至三极管Q2的基极和三极管Q2的集电极之间，所述三极管Q2的基极和三极管Q2的发射极并联连接在电表信号检测电路(2)的输出端，三极管Q2的集电极与延时开关电路(4)的输入端连接。

3.根据权利要求1所述的用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：所述电源电路(1)包括降压滤波电路和整流电路，降压滤波电路的输入端与外接电源连接，降压滤波电路的输出端与整流电路的输入端连接，整流电路的输出端与脱扣电路(3)的输入端和延时开关电路(4)的输入端连接。

4.根据权利要求3所述的用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：所述降压滤波电路包括电阻R1，电容C1，电阻R2和电容C2；所述电阻R1和电容C1并联后的一端与电源N相连接，另一端与整流电路的输入端连接；电阻R2和电容C2并联后的一端与电源L相连接，另一端与整流电路的输入端连接。

5.根据权利要求3所述的用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：所述整流电路为全波整流桥；所述全波整流桥包括二极管VD1，二极管VD2，二极管VD3和二极管VD4，二极管VD1的负极与二极管VD4的负极连接，二极管VD4的正极与二极管VD3的负极连接，二极管VD3的正极与二极管VD2的正极连接，二极管VD2的负极与二极管VD1的正极连接；二极管VD3和二极管VD4的中间节点与电源N相连接，二极管VD1和二极管VD2的中间节点与电源L相连接，二极管VD1和二极管VD4的中间节点连接至脱扣电路(3)，二极管VD2和二极管VD3的中间节点连接至延时开关电路(4)。

6.根据权利要求3所述的用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：电源电路(1)还包括压敏电阻RV2，压敏电阻RV2的两端并联连接在电源L相和电源N相之间。

7.根据权利要求1所述的用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：所述电表信号检测电路(2)包括三极管Q1，电阻R17，二极管VD7，二极管VD8，电容C6和稳压管TV1；电阻R17的一端与电表信号输入端S连接，电阻R17的另一端与二极管VD8的正极连接，二极管VD8的负极经过电阻R18连接至三极管Q1的基极，三极管Q1的集电极与电源电压检测电路(5)的输入端连接，电容C6并联连接在三极管Q1的集电极和三极管Q1的发射极之间，二极管VD7的正极与电源N相连接，二极管VD7的负极与稳压管TV1的正极连接，稳压管TV1的负极与延时开关电路(4)的输入端连接。

8.根据权利要求7所述的用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：所述电表信号检测电路(2)还包括压敏电阻RV1，压敏电阻RV1的两端并联连接在电表信号输入端S和电源N相之间。

9.根据权利要求1所述的用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：所述脱扣电路(3)包括二极管VD5，电阻R13，电阻R3，二极管VD6和脱扣线圈KT；脱扣线圈KT的一端与延时开关电路(4)的一个输出端连接，脱扣线圈KT的另一端与二极管VD5的正极连接，二极管VD5的负极与电阻R13的一端连接，电阻R13的另一端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与二极管VD6的正极连接，二极管VD6的负极与延时开关电路(4)的另一端输出端连接。

10.根据权利要求1所述的用于预付费电表断路器的控制电路，其特征在于：所述延时开关电路(4)包括可控硅VT1，电阻R6，电容C3，电容C4，电阻R5，电容C5和电阻R4；可控硅VT1的阳极与脱扣电路(3)的脱扣线圈KT的一端连接，电阻R6和电容C3串联后的两端并联连接在可控硅VT1的阳极和可控硅VT1的阴极之间，可控硅VT1的控制极经过电阻R4连接至脱扣电路(3)的二极管VD6的负极，电容C4、电阻R5和电容C5依次并联连接在可控硅VT1的阴极和可控硅VT1的控制极之间，电容C4和电阻R5位于电阻R4的前端，电容C5位于电阻R4的后端。