[实用新型]一种提高晶圆洗边精度的装置有效
申请号: | 201720033202.5 | 申请日: | 2017-01-11 |
公开(公告)号: | CN206401278U | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 王艳蓉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 晶圆洗边 精度 装置 | ||
1.一种提高晶圆洗边精度的装置,包括旋转盘和边胶清洗装置,所述旋转盘上卡设涂覆有光刻胶的晶圆,所述边胶清洗装置内盛装有洗边溶液,所述边胶清洗装置还包括将所述洗边溶液喷洒于所述晶圆的洗边区域的喷嘴,其特征在于,还包括对所述洗边区域宽度进行实时监测的监测装置,所述监测装置包括探测光发射器和探测光接收器,所述探测光发射器适于发射出探测光照射于所述晶圆的边缘,所述探测光接收器适于接收所述晶圆的边缘反射的光,并根据反射的光的能量判断所述洗边区域宽度的变化。
2.根据权利要求1所述的提高晶圆洗边精度的装置,其特征在于,所述探测光发射器发出的探测光与水平面的夹角范围为60度~90度。
3.根据权利要求1所述的提高晶圆洗边精度的装置,其特征在于,所述探测光发射器发出的探测光为绿光。
4.根据权利要求1-3任一项所述的提高晶圆洗边精度的装置,其特征在于,所述探测光在所述晶圆上覆盖的宽度大于所述洗边区域的宽度。
5.根据权利要求1所述的提高晶圆洗边精度的装置,其特征在于,还包括数字信号处理器,所述数字信号处理器接受所述晶圆边缘反射的光信号并将其转化为光能量的数字信号。
6.根据权利要求1所述的提高晶圆洗边精度的装置,其特征在于,所述旋转盘的旋转为匀速。
7.根据权利要求1所述的提高晶圆洗边精度的装置,其特征在于,所述洗边溶液为有机溶剂。
8.根据权利要求1所述的提高晶圆洗边精度的装置,其特征在于,所述喷嘴喷出所述洗边溶液的速度为1~30毫升/分钟。
9.根据权利要求1所述的提高晶圆洗边精度的装置,其特征在于,所述边胶清洗装置的最大容许偏移值为200um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造