[实用新型]一种提高晶圆洗边精度的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造工艺技术领域，特别是涉及一种提高晶圆洗边精度的装置。

背景技术

在线产品经常会遭受到剥落缺陷的影响，从晶圆的上方俯视可以发现这些缺陷位于所述晶圆的边缘位置并围成一圈，缺陷的分布图如图1所示。业界为避免晶圆衬底的晶边上的剥落缺陷源头对晶圆良率产生影响，常通过清洗晶边的方式把可能的剥落源头去除，以防止此类缺陷掉入在线产品内部影响良率。

为了去除累积于晶圆边缘的光刻胶残留，通常在涂胶工艺后加入洗边(Edge Bean Removal，EBR)工艺，也称作边缘球状物去除工艺、边胶去除工艺，以去除晶圆边缘的光刻胶残留。边胶去除(Edge Bead Remover，EBR)喷嘴将洗边液喷洒在晶圆边缘的洗边区域内，以溶解残留的光刻胶。

在洗边工艺中，洗边的宽度通常可根据不同的工艺要求预先在涂胶设备上设定。然而，由于机台可能存在误差，使得洗边液的喷洒无法确保在晶圆边缘的各个方向上都保持均匀，导致洗边的宽度与设定值不一致，或者洗边区域在晶圆上产生不对称的偏移，例如图2所示，EBR设定的值为1.0mm，而几个方向上的洗边宽度均不一致，误差率最高达到50％。

在现有技术中，为了避免洗边线产生偏移，目前采取的措施是在对曝光机台定期进行预防性维护(PM，Preventive Maintenance)的过程中，对曝光机台进行精度检测，使其曝光精度保证为1mm。但是由于每隔一段时间才进行一次PM，因此在两次PM之间。曝光机台的硬件可能会发生偏移，并且半导体晶片送往机台时的角度和方向也可能产生偏移，从而可能造成洗边线产生偏移；然而大多数的情况下，洗边线偏移都是通过后续的缺陷工程师(YE，Yield Engineer)或品质工程师(QE，Quality Engineer)分析得出的，此时，半导体晶片已经过很多道工艺步骤。因而洗边线偏移不能被及时发现，从而对集成电路的良率及半导体器件的性能造成影响。为了更早地发现洗边线偏移情况，目前采取的措施是目检，然而通过目检来发现洗边线偏移存在很大的困难，目测精度低，同时也是极不科学的。

所以，急需一种能够实时监测洗边过程中喷嘴偏移的装置，以保证晶圆的洗边宽度与设定值一致。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种提高晶圆洗边精度的装置，用于解决现有技术中晶圆洗边装置不能实时、精确判断洗边线偏移从而导致产品良率降低的问题，

为实现上述目的，本实用新型提供一种提高晶圆洗边精度的装置，包括旋转盘和边胶清洗装置，所述旋转盘上卡设涂覆有光刻胶的晶圆，所述边胶清洗装置内盛装有洗边溶液，所述边胶清洗装置还包括将所述洗边溶液喷洒于所述晶圆的洗边区域的喷嘴，所述提高晶圆洗边精度的装置还包括对所述洗边区域宽度进行实时监测的监测装置，所述监测装置包括探测光发射器和探测光接收器，所述探测光发射器适于发射出探测光照射于所述晶圆的边缘，所述探测光接收器适于接收所述晶圆的边缘反射的光，并根据反射的光的能量判断所述洗边区域宽度的变化。

于本实用新型的一实施方式中，所述探测光发射器发出的探测光与水平面的夹角范围为60度～90度。

于本实用新型的一实施方式中，所述探测光发射器发出的探测光为绿光。

于本实用新型的一实施方式中，所述探测光在所述晶圆上覆盖的宽度大于所述洗边区域的宽度。

于本实用新型的一实施方式中，还包括数字信号处理器，所述数字信号处理器接受所述晶圆边缘反射的光信号并将其转化为光能量的数字信号。

于本实用新型的一实施方式中，所述旋转盘的旋转为匀速。

于本实用新型的一实施方式中，所述洗边溶液为有机溶剂。

于本实用新型的一实施方式中，所述喷嘴喷出所述洗边溶液的速度为1～30毫升/分钟。

于本实用新型的一实施方式中，所述边胶清洗装置的最大容许偏移值为200um。

如上所述，本实用新型的提高晶圆洗边精度的装置，具有以下有益效果：

1、通过设置监测装置便于对所述洗边区域宽度进行实时监测，防止洗边线的偏移给后续各工序造成影响；

2、通过对探测光接收器接受的光能量的计算得出对应于洗边区域宽度的关系，从而方便调节所述喷嘴的位置；

3、改善了晶圆剥落缺陷，提升了晶圆的良率，提升客户满意度。

附图说明

图1为现有技术中晶圆遭受到剥落缺陷的缺陷分布图。

图2为现有技术中洗边不均匀的晶圆示意图。