[实用新型]一种低浓度VOCs富集解析装置

权利要求书

1.一种低浓度VOCs富集解析装置，包括冷箱、壳体、制冷装置、富集管、转接装置；

在所述冷箱中设置有富集管容纳空间，所述冷箱用于使富集管快速降温；

所述壳体设置在所述冷箱外面；

所述制冷装置通过制冷装置安装口与所述冷箱的外表面贴合；

所述富集管设置在所述富集管容纳空间内；

所述转接装置用于使所述富集管与外部管路连接。

2.如权利要求1所述的低浓度VOCs富集解析装置，其特征在于，

所述富集管与所述富集管容纳空间的距离为0.5cm-5cm。

3.如权利要求2所述的低浓度VOCs富集解析装置，其特征在于，

所述低浓度VOCs富集解析装置还包括温度传感器，所述温度传感器设置在所述富集管表面。

4.如权利要求2所述的低浓度VOCs富集解析装置，其特征在于，

所述转接装置包括第一转接头、第二转接头；

所述第一转接头与所述第二转接头分别设置在所述富集管的两端；

所述第一转接头和所述第二转接头通过所述壳体两侧的转接头安装孔伸出到壳体外。

5.如权利要求2所述的低浓度VOCs富集解析装置，其特征在于，

所述制冷装置包括半导体制冷片、散热器；

所述半导体制冷片的制冷面与所述冷箱贴合，所述半导体制冷片的散热面与所述散热器贴合。

6.如权利要求5所述的低浓度VOCs富集解析装置，其特征在于，

所述制冷装置包括至少两片半导体制冷片；

两片以上所述半导体制冷片的连接方式为后一片半导体制冷片的制冷面与前一片半导体制冷片的散热面贴合，第一片半导体制冷片的制冷面与所述冷箱贴合，最后的一片半导体制冷片的散热面与所述散热器贴合。

7.如权利要求6所述的低浓度VOCs富集解析装置，其特征在于，

所述制冷装置还包括散热风扇，所述散热风扇设置在散热器上。

8.如权利要求1所述的低浓度VOCs富集解析装置，其特征在于，

所述冷箱的材料是纯铜、银或铝；

所述壳体由保温材料制成。

9.如权利要求1-8之一所述的低浓度VOCs富集解析装置，其特征在于，

所述低浓度VOCs富集解析装置还包括加热装置；

所述加热装置用于对所述富集管直接加热，所述加热装置与所述富集管绝缘；

所述加热装置设置在所述冷箱中的富集管容纳空间内。

10.如权利要求9所述的低浓度VOCs富集解析装置，其特征在于，

所述加热装置为加热丝或者电热片；

所述加热丝缠在所述富集管上；

所述电热片裹在所述富集管上。