[实用新型]一种低浓度VOCs富集解析装置有效
申请号: | 201720053824.4 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN206546349U | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 李吉元 | 申请(专利权)人: | 北京雪迪龙科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N30/08 | 分类号: | G01N30/08 |
代理公司: | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)11446 | 代理人: | 刘国伟,武玉琴 |
地址: | 102206 北京市昌*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 浓度 vocs 富集 解析 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及富集解析装置,特别是涉及一种用于低浓度的VOCs便携的富集解析装置。
背景技术
1906年Tswett研究植物色素分离时提出色谱法概念;他在研究植物叶的色素成分时,将植物叶子的萃取物倒入填有碳酸钙的直立玻璃管内,然后加入石油醚使其自由流下,结果色素中各组分互相分离形成各种不同颜色的谱带。按光谱的命名方式,这种方法因此得名为色谱法。
气相色谱法的发展与两个方面的发展是密不可分,一是气相色谱分离技术的发展,二是其他学科和技术的发展。
1952年James和Martin提出气液相色谱法,同时也发明了第一个气相色谱检测器。这是一个接在填充柱出口的滴定装置,用来检测脂肪酸的分离,用滴定溶液体积对时间做图,得到积分色谱图。之后,他们又发明了气体密度天平。1954年Ray提出热导计,开创了现代气相色谱检测器的时代。此后至1957年,则进入填充柱、TCD的年代。
1958年Gloay首次提出毛细管,同年,Mcwillian和Harley同时发明了FID,Lovelock发明了氩电离检测器(AID)使检测方法的灵敏度提高了2~3个数量级。
20世纪60年代和70年代,由于气相色谱技术的发展,柱效大为提高,环境科学等学科的发展,提出了痕量分析的要求,又陆续出现了一些高灵敏度、高选择性的检测器,如1960年Lovelock提出电子俘获检测器(ECD);1966年Brody等发明了FPD;1974年Kolb和Bischoff提出了电加热的NPD;1976年美国HNU公司推出了实用的窗式光电离检测器(PID)等。同时,由于电子技术的发展,原有的检测器在结构和电路上又作了重大的改进,如TCD出现了衡电流、横热丝温度及衡热丝温度检测电路;ECD出现衡频率变电流、衡电流脉冲调制检测电路等,从而使性能又有所提高。
20世纪80年代,由于弹性石英毛细管柱的快速广泛应用,对检测器提出了体积小、响应快、灵敏度高、选择性好的要求,特别是计算机和软件的发展,使TCD、FID、ECD、和NPD的灵敏度和稳定性均有很大提高,TCD和ECD的检测池体积大大缩小。
进入20世纪90年代,由于电子技术、计算机和软件的飞速发展使MSD生产成本和复杂性下降,以及稳定性和耐用性增加,从而成为最通用的气相色谱检测器之一。期间出现了非放射性的脉冲放电电子俘获检测器(PDECD)、脉冲放电氦电离检测器(PDHID)和脉冲放电光电离检测器(PDECD)以及集次三者为一体的脉冲放电检测器(PDD)。四年后,美国Varian公司推出了商品仪器,它比通常FPD灵敏度高100倍。另外,快速GC和全二维GC等快速分离技术的迅猛发展,也促使快速GC检测方法逐渐成熟。
由于气相色谱仪的检测器无法检测低浓度的VOCs(volatile organic compounds:挥发性有机物),需要将被测气体进行富集,达到一定浓度,再由气相色谱进行分析。现有的富集解析装置为常温吸附或者超低温吸附,以及使用热解析。但是常温富集不能有效的对VOCs气体进行富集,富集效率差;而超低温富集结构复杂,功耗大,连续性差,价格昂贵,不适合便携移动。因此如何改进现有的富集解析装置,使之结构紧凑、便携,并能够连续快速的对VOCs进行富集解析,降低分析周期,成为人们亟待解决的问题。
实用新型内容
为了解决背景技术的不足,本实用新型意在提出一种用于低浓度的VOCs富集解析装置,其能够连续快速地对VOCs进行富集解析,降低分析周期。
本实用新型提出一种低浓度VOCs富集解析装置,包括冷箱、壳体、制冷装置、富集管、转接装置;
在所述冷箱中设置有富集管容纳空间,所述冷箱用于使富集管快速降温;
所述壳体设置在所述冷箱外面;
所述制冷装置通过制冷装置安装口与所述冷箱的外表面贴合;
所述富集管设置在所述富集管容纳空间内;
所述转接装置用于使所述富集管与外部管路连接。
进一步地,所述富集管与所述富集管容纳空间的距离为0.5cm-5cm。
进一步地,所述低浓度VOCs富集解析装置还包括温度传感器,所述温度传感器设置在所述富集管表面。
进一步地,所述转接装置包括第一转接头、第二转接头;
所述第一转接头与所述第二转接头分别设置在所述富集管的两端;
所述第一转接头和所述第二转接头通过所述壳体两侧的转接头安装孔伸出到壳体外。
进一步地,所述制冷装置包括半导体制冷片、散热器;
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