[实用新型]清洗系统及其化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种免停机拆洗真空管道的清洗系统以及化学气相沉积设备。

背景技术

平板显示行业所采用的等离子体化学气相沉积设备(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，通常用于制备含硅材料的膜层，如无定形硅a-Si，以及各种硅的化合物(SiO2、SixNy等)。如图1所示，PECVD设备包括工艺腔1’和真空泵2’，工艺腔1’和真空泵2’通过真空管道3’相连接。然而，实际使用过程中，真空泵2’经常卡死，以致PECVD设备频繁性地停机，严重降低了生产效率。

经研究发现，PECVD设备在使用一段时间后，真空管道3’内会存在一些白色粉末状沉积物，使得真空泵2’对工艺腔1’抽真空时，真空管道3’内的沉积物进入真空泵2’，从而造成真空泵2’之转子以及泵腔之间的间隙堵塞，卡死真空泵2’。

为了解决上述问题，惯用的做法是定期地拆卸真空管道并送外清洗。但是，此做法不仅繁琐，而且设备停机时间长，维护成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种清洗系统以及化学气相沉积设备，在不需要拆卸真空管道，尤其是不停机的情况下，便可以完成对真空管道的清洗，以解决PECVD设备在维护过程中成本高、操作繁琐、停机时间长等问题。

在一个实施例中，为实现上述目的，本实用新型提供了一种用于真空管道清洗的清洗系统，所述清洗系统包括检测装置、离化装置、抽吸装置和开关装置；

所述检测装置设置于所述真空管道上并用于检测所述真空管道内沉积物的含量；所述离化装置连接所述真空管道并用于将能与所述沉积物反应的清洁物质注入所述真空管道；所述抽吸装置连接并用于抽吸所述真空管道；所述开关装置设置于所述真空管道上并用于在沉积物的含量超过预设上限值时切断所述真空管道。

优选地，所述清洗系统还包括与所述检测装置、离化装置、抽吸装置以及开关装置通讯连接的控制装置，所述控制装置用于控制所述开关装置切断所述真空管道，以及用于控制所述离化装置和所述抽吸装置开启。

优选地，所述真空管道包括并联设置的多个真空管道单元，所述检测装置设置于至少一个真空管道单元上，所述离化装置和抽吸装置对应连接所述至少一个真空管道单元；其中，所述开关装置用于切断所述至少一个真空管道单元并实现剩余真空管道单元中至多一个真空管道单元的连接。

优选地，所述清洗系统还包括与所述至少一个真空管道单元连接的清扫管道，通过所述清扫管道将清洁气体注入所述至少一个真空管道单元。

优选地，与所述至少一个真空管道单元连接的所述离化装置为多个，所述抽吸装置通过多个抽吸管路与所述至少一个真空管道单元连接。

优选地，所述至少一个真空管道单元上设置有多个检测装置。

优选地，所述清洁物质为氟自由基，所述氟自由基与含硅元素的所述沉积物反应生成挥发性物质。

进一步，本实用新型还提供了一种化学气相沉积设备，包括沉积腔、真空管道以及真空泵，所述真空管道的一端连接所述沉积腔，另一端连接所述真空泵，且所述化学气相沉积设备还包括上述任一项所述的清洗系统。

优选地，所述化学气相沉积设备之真空管道包括并联设置的两个真空管道单元。

与现有技术相比，本实用新型的清洗系统以及化学气相沉积设备，通过检测装置实时监测真空管道内沉积物的含量，一旦真空管道内沉积物的含量超过预设上限值，通过开启离化装置便可将能够与沉积物发生反应的清洁物质引入真空管道，另通过开启抽吸装置便可以抽出真空管道内的反应物。如此一来，清洗真空管道时，免去了拆卸真空管道的麻烦，而且无需送外清洗，节省了清洗时间和清洗成本，特别地，由于本实用新型的清洗系统为在线清洗，故而可以缩短化学气相沉积设备的停机时间，提高生产效率。