[实用新型]一种用于功率器件晶圆烘烤的石英舟有效
申请号: | 201720088952.2 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN206451691U | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 汤为;李江华;孙效中 | 申请(专利权)人: | 常州旺童半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 常州知融专利代理事务所(普通合伙)32302 | 代理人: | 路向南 |
地址: | 213000 江苏省常州市武进区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 功率 器件 烘烤 石英 | ||
技术领域
本实用新型涉及载具技术领域,尤其是一种用于功率器件晶圆烘烤的石英舟。
背景技术
5英寸、6英寸等晶圆的加工过程,炉管高温烘烤是必不可少的工艺过程。在炉管烘烤的时候,石英舟必不可少。目前5英寸、6英寸所使用的石英舟为卧式,即石英舟是平放的,晶圆则垂直放置,这种方式对于晶圆上有流动性材料的烘烤非常不利,流动性材料会在重力的作用下向晶圆的一个方向流动,导致不均匀。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:克服现有技术中之不足,提供一种用于功率器件晶圆烘烤的石英舟。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用于功率器件晶圆烘烤的石英舟,用于晶圆烘烤载体,包括上下分布的上端板和下端板,上端板和下端板之间安装有竖直设置的第一石英柱、第二石英柱、第三石英柱和第四石英柱;所述上端板和下端板均包括水平部,水平部两端连接有竖直部,水平部和两个竖直部首尾连接形成缺口;所述第一石英柱和第四石英柱两端分别安装于上端板和下端板的竖直部,第二石英柱和第三石英柱两端分别安装于上端板和下端板的水平部;所述第一石英柱和第四石英柱上开设有槽口向对的凹槽,第二石英柱上设有开口朝向第一石英柱的凹槽,第三石英柱上设有开口朝向第四石英柱的凹槽且与第一石英柱;第一石英柱、第二石英柱、第三石英柱和第四石英柱的凹槽彼此对应平行且等距设置;所述相邻两个凹槽中心线之间的距离L为4.0~5.5mm。
进一步地,所述的凹槽的开口端设有便于晶圆插入的倒角。
进一步地,所述的相邻两个凹槽中心线之间的距离L为4.8mm。
本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单,设计合理,操作简便,包括上下分布的上端板和下端板,上端板和下端板之间安装有竖直设置的第一石英柱、第二石英柱、第三石英柱和第四石英柱,晶圆则可以水平放置,便于流动性材料的烘烤;本实用新型采用镂空结构,节省材料,同时便于热空气的回流,提高炉管内温度的一致性;本实用新型材质使用石英玻璃,在高温下不会对晶圆产生有害物质。
附图说明
下面结合附图和实施方式对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是端板的结构示意图;
图3是石英柱的结构示意图。
图中1.上端板,2.下端板,3.第一石英柱,4.第二石英柱,5.第三石英柱,6.第四石英柱,7.凹槽,8.水平部,9.竖直部,10.缺口,11.倒角。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1-3所示的一种用于功率器件晶圆烘烤的石英舟,用于晶圆烘烤载体,包括上下分布的上端板1和下端板2,上端板1和下端板2之间安装有竖直设置的第一石英柱3、第二石英柱4、第三石英柱5和第四石英柱6;上端板1和下端板2均包括水平部8,水平部8两端连接有竖直部9,水平部8和两个竖直部9首尾连接形成缺口10;第一石英柱3和第四石英柱6两端分别安装于上端板1和下端板2的竖直部9,第二石英柱4和第三石英柱5两端分别安装于上端板1和下端板2的水平部8;第一石英柱3和第四石英柱6上开设有槽口向对的凹槽7,第二石英柱4上设有开口朝向第一石英柱3的凹槽7,第三石英柱5上设有开口朝向第四石英柱6的凹槽7且与第一石英柱3;第一石英柱3、第二石英柱4、第三石英柱5和第四石英柱6的凹槽7彼此对应平行且等距设置;所述相邻两个凹槽7中心线之间的距离L为4.8mm;凹槽7的开口端设有便于晶圆插入的倒角11。
这种用于功率器件晶圆烘烤的石英舟结构简单,设计合理,操作简便,包括上下分布的上端板1和下端板2,上端板1和下端板2之间安装有竖直设置的第一石英柱3、第二石英柱4、第三石英柱5和第四石英柱6,晶圆则可以水平放置,便于流动性材料的烘烤;采用镂空结构,节省材料,同时便于热空气的回流,提高炉管内温度的一致性;本实用新型材质使用石英玻璃,在高温下不会对晶圆产生有害物质。
上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围,凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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