[实用新型]N型双面电池结构有效
| 申请号： | 201720094304.8 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN206789552U | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李华;鲁伟明 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双面 电池 结构 | ||
1.一种N型双面电池结构，其特征在于：包括基体，基体为N型，基体的正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一减反钝化膜，第一减反钝化膜上有正面电极，正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触；基体的背面生长一层薄膜，即隧穿氧化层，隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有背面电极，背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的N型双面电池结构，其特征在于：第一减反射钝化膜采用SiNx薄膜、SiO2薄膜、TiO2薄膜、Al2O3薄膜、SiOxNy薄膜中的一种或者多种叠层构成，厚度为50-90nm。
3.如权利要求1所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面生长的隧穿氧化层为SiO2、Al2O3、TiO2或MoOx，厚度为1-4nm。
4.如权利要求1-3任一项所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的掺杂多晶硅层为磷掺杂多晶硅层。
5.如权利要求4所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的掺杂层多晶硅层厚度为40nm-300nm，方阻为20-200Ω/□。
6.如权利要求1-3任一项所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的第二减反射钝化膜是SiNx薄膜、SiO2薄膜、TiO2薄膜、Al2O3薄膜或SiOxNy薄膜中的一种或者多种叠层构成，厚度为50-90nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，未经泰州隆基乐叶光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720094304.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高导热型半导体器件封装结构
- 下一篇：动力电池包
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
